იკვებება კონდენსატორების საშუალებით

YFF21AC1E473MT0Y0N

YFF21AC1E473MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 13298

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18PW0J474MT0H0N

YFF18PW0J474MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 147099

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 30 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18AC1E223MT0Y0N

YFF18AC1E223MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 13239

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1H222MT0Y0N

YFF21AC1H222MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 13208

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18AC1H472MT0Y0N

YFF18AC1H472MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 13246

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1E223MT0Y0N

YFF21AC1E223MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 21683

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E470M

YFF32SC1E470M

ნაწილი საფონდო: 124286

ტევადობა: 47pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1C223MT000N

YFF15SC1C223MT000N

ნაწილი საფონდო: 177346

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 50 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1E222MT000N

YFF15SC1E222MT000N

ნაწილი საფონდო: 130748

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1E102MT000N

YFF15SC1E102MT000N

ნაწილი საფონდო: 125379

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1E103MT0Y0N

YFF21AC1E103MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 21682

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1E103MT000N

YFF15SC1E103MT000N

ნაწილი საფონდო: 171474

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15PC0G755MT000N

YFF15PC0G755MT000N

ნაწილი საფონდო: 120464

ტევადობა: 7.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF32SC1E104M

YFF32SC1E104M

ნაწილი საფონდო: 187740

ტევადობა: 0.1µF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 500mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18PC1C104MT0H0N

YFF18PC1C104MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 107575

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 30 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H223MT000N

YFF21SC1H223MT000N

ნაწილი საფონდო: 168195

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1H101MT000N

YFF15SC1H101MT000N

ნაწილი საფონდო: 115187

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H102MT000N

YFF21SC1H102MT000N

ნაწილი საფონდო: 191832

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1A105MT000N

YFF21PC1A105MT000N

ნაწილი საფონდო: 112547

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF18PH0J105MT000N

YFF18PH0J105MT000N

ნაწილი საფონდო: 192547

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი