იკვებება კონდენსატორების საშუალებით

YFF32SC1E223M

YFF32SC1E223M

ნაწილი საფონდო: 8055

ტევადობა: 0.022µF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 500mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15PC0G106MT009N

YFF15PC0G106MT009N

ნაწილი საფონდო: 7601

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF21SC1H221MT009N

YFF21SC1H221MT009N

ნაწილი საფონდო: 7609

ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H473MT000N

YFF21SC1H473MT000N

ნაწილი საფონდო: 144605

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1E473MT009N

YFF21SC1E473MT009N

ნაწილი საფონდო: 7437

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H222MT009N

YFF21SC1H222MT009N

ნაწილი საფონდო: 7435

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E222M

YFF32SC1E222M

ნაწილი საფონდო: 7247

ტევადობა: 2200pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H221MT000N

YFF21SC1H221MT000N

ნაწილი საფონდო: 154487

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E101M

YFF32SC1E101M

ნაწილი საფონდო: 161291

ტევადობა: 100pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1E104MT009N

YFF21PC1E104MT009N

ნაწილი საფონდო: 6907

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H471MT009N

YFF21SC1H471MT009N

ნაწილი საფონდო: 6669

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1E223MT009N

YFF21SC1E223MT009N

ნაწილი საფონდო: 6681

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H470MT000N

YFF21SC1H470MT000N

ნაწილი საფონდო: 111137

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1E103MT009N

YFF21SC1E103MT009N

ნაწილი საფონდო: 6367

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
HFC-2L-3

HFC-2L-3

ნაწილი საფონდო: 4290

ტევადობა: 500pF, ტოლერანტობა: ±35%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 120°C,

სასურველი
YFF15PC0G755MT009N

YFF15PC0G755MT009N

ნაწილი საფონდო: 6082

ტევადობა: 7.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF21SC1H220MT009N

YFF21SC1H220MT009N

ნაწილი საფონდო: 6318

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1A225MT000N

YFF21PC1A225MT000N

ნაწილი საფონდო: 5992

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF21SC1E223MT000N

YFF21SC1E223MT000N

ნაწილი საფონდო: 189019

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H471MT000N

YFF21SC1H471MT000N

ნაწილი საფონდო: 175932

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1A475MT000N

YFF21PC1A475MT000N

ნაწილი საფონდო: 6061

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, მიმდინარე: 3A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF21SC1H222MT000N

YFF21SC1H222MT000N

ნაწილი საფონდო: 102429

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E220M

YFF32SC1E220M

ნაწილი საფონდო: 5698

ტევადობა: 22pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H223MT009N

YFF21SC1H223MT009N

ნაწილი საფონდო: 5416

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15PC0G106MT000N

YFF15PC0G106MT000N

ნაწილი საფონდო: 138424

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF32SC1E103M

YFF32SC1E103M

ნაწილი საფონდო: 5213

ტევადობა: 10000pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 500mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H473MT009N

YFF21SC1H473MT009N

ნაწილი საფონდო: 8560

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H102MT009N

YFF21SC1H102MT009N

ნაწილი საფონდო: 4907

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E473M

YFF32SC1E473M

ნაწილი საფონდო: 5131

ტევადობა: 0.047µF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 500mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF31PC1C104MT000N

YFF31PC1C104MT000N

ნაწილი საფონდო: 117395

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 40 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF31PC0J226MT000N

YFF31PC0J226MT000N

ნაწილი საფონდო: 4835

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF21PC1E473M

YFF21PC1E473M

ნაწილი საფონდო: 186603

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V,

სასურველი
YFF32SC1E472M

YFF32SC1E472M

ნაწილი საფონდო: 5067

ტევადობა: 4700pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF31PC1C104MT009N

YFF31PC1C104MT009N

ნაწილი საფონდო: 4805

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1E103M

YFF21PC1E103M

ნაწილი საფონდო: 104289

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V,

სასურველი
YFF21PC1E104MT000N

YFF21PC1E104MT000N

ნაწილი საფონდო: 193891

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი