იკვებება კონდენსატორების საშუალებით

YFF21SC1H220MT000N

YFF21SC1H220MT000N

ნაწილი საფონდო: 178321

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E102M

YFF32SC1E102M

ნაწილი საფონდო: 4653

ტევადობა: 1000pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H470MT009N

YFF21SC1H470MT009N

ნაწილი საფონდო: 4275

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E471M

YFF32SC1E471M

ნაწილი საფონდო: 4441

ტევადობა: 470pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1E474M

YFF21PC1E474M

ნაწილი საფონდო: 4031

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V,

სასურველი
YFF21SC1E103MT000N

YFF21SC1E103MT000N

ნაწილი საფონდო: 118269

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H101MT000N

YFF21SC1H101MT000N

ნაწილი საფონდო: 112468

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 500 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1E473MT000N

YFF21SC1E473MT000N

ნაწილი საფონდო: 189776

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF32SC1E221M

YFF32SC1E221M

ნაწილი საფონდო: 136593

ტევადობა: 220pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 200mA, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 600 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H101MT009N

YFF21SC1H101MT009N

ნაწილი საფონდო: 3517

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21SC1H472MT009N

YFF21SC1H472MT009N

ნაწილი საფონდო: 3281

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC0J106MT000N

YFF21PC0J106MT000N

ნაწილი საფონდო: 3359

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 5 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF21PC1E223M

YFF21PC1E223M

ნაწილი საფონდო: 107027

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V,

სასურველი
YFF15PC0J105M

YFF15PC0J105M

ნაწილი საფონდო: 116645

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V,

სასურველი
YFF21AC1H470MT0Y0N

YFF21AC1H470MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 209

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1H220MT0Y0N

YFF21AC1H220MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 239

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1H221MT000N

YFF15SC1H221MT000N

ნაწილი საფონდო: 148020

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18AC1C104MT0Y0N

YFF18AC1C104MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 292

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15PC1C104MT000N

YFF15PC1C104MT000N

ნაწილი საფონდო: 123411

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 3A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 30 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
YFF15SC1C473MT000N

YFF15SC1C473MT000N

ნაწილი საფონდო: 138720

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 50 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18AC1H471MT0Y0N

YFF18AC1H471MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 221

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18SC1H103MT0H0N

YFF18SC1H103MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 166966

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 80 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1H472MT0Y0N

YFF21AC1H472MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 283

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 400mA, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18AC1H222MT0Y0N

YFF18AC1H222MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 216

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF31PC1C474MT000N

YFF31PC1C474MT000N

ნაწილი საფონდო: 199622

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 40 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1H101MT0Y0N

YFF21AC1H101MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 247

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21PC1C474MT000N

YFF21PC1C474MT000N

ნაწილი საფონდო: 109498

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, მიმდინარე: 2A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 30 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18SC1H102MT0H0N

YFF18SC1H102MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 101164

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15SC1E472MT000N

YFF15SC1E472MT000N

ნაწილი საფონდო: 197294

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF15PC0G435MT000N

YFF15PC0G435MT000N

ნაწილი საფონდო: 157721

ტევადობა: 4.3µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, მიმდინარე: 2A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
YFF15PC0G105MT000N

YFF15PC0G105MT000N

ნაწილი საფონდო: 135434

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, მიმდინარე: 3A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
YFF18SC1H222MT0H0N

YFF18SC1H222MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 167333

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18SC1H471MT0H0N

YFF18SC1H471MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 152847

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 300 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF21AC1H221MT0Y0N

YFF21AC1H221MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 273

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18AC1H221MT0Y0N

YFF18AC1H221MT0Y0N

ნაწილი საფონდო: 301

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, მიმდინარე: 1A, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
YFF18PC0J475MT0H0N

YFF18PC0J475MT0H0N

ნაწილი საფონდო: 197275

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, მიმდინარე: 4A, DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური): 12 mOhm, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი