კერამიკული კონდენსატორები

C0603C0G1H080D030BA

C0603C0G1H080D030BA

ნაწილი საფონდო: 169709

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1A685M060AC

C2012X5R1A685M060AC

ნაწილი საფონდო: 108313

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB1C106K125AB

C2012JB1C106K125AB

ნაწილი საფონდო: 123785

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB1A685M125AC

C2012JB1A685M125AC

ნაწილი საფონდო: 4903

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X5R0J226M160AA

C3216X5R0J226M160AA

ნაწილი საფონდო: 1332

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3FD151KYNR

CK45-B3FD151KYNR

ნაწილი საფონდო: 100061

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1005JB0J224K050BB

C1005JB0J224K050BB

ნაწილი საფონდო: 6285

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB1A685K125AC

C2012JB1A685K125AC

ნაწილი საფონდო: 4494

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X7R1V684M080AC

C1608X7R1V684M080AC

ნაწილი საფონდო: 198372

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E200J

C0603C0G1E200J

ნაწილი საფონდო: 6684

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X5R1A684K050BB

C1005X5R1A684K050BB

ნაწილი საფონდო: 122172

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E2R3C030BG

C0603C0G1E2R3C030BG

ნაწილი საფონდო: 9179

ტევადობა: 2.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C1608X5R1H684M080AB

C1608X5R1H684M080AB

ნაწილი საფონდო: 197048

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1H060D030BA

C0603C0G1H060D030BA

ნაწილი საფონდო: 192426

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ4C2C0G1H181J060AA

CGJ4C2C0G1H181J060AA

ნაწილი საფონდო: 168815

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3FD101KYNR

CK45-B3FD101KYNR

ნაწილი საფონდო: 191627

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3216X7R1C475M160AB

C3216X7R1C475M160AB

ნაწილი საფონდო: 175982

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402X5R1C681K020BC

C0402X5R1C681K020BC

ნაწილი საფონდო: 163378

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB0J685K085AB

C2012JB0J685K085AB

ნაწილი საფონდო: 8068

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4F2X7R2A683M085AA

CGA4F2X7R2A683M085AA

ნაწილი საფონდო: 1386

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R1H684K080AB

C1608X5R1H684K080AB

ნაწილი საფონდო: 154359

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1632X7R1A225M115AC

C1632X7R1A225M115AC

ნაწილი საფონდო: 152097

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C0603CH1E390K030BA

C0603CH1E390K030BA

ნაწილი საფონდო: 180242

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3DD222KYNR

CK45-B3DD222KYNR

ნაწილი საფონდო: 134342

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3216C0G2J391J060AA

C3216C0G2J391J060AA

ნაწილი საფონდო: 101382

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E3R3B

C0603C0G1E3R3B

ნაწილი საფონდო: 1250

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R1H474M080AB

C1608X5R1H474M080AB

ნაწილი საფონდო: 178907

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3DD152KYNR

CK45-B3DD152KYNR

ნაწილი საფონდო: 192382

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1005JB0J105M050BB

C1005JB0J105M050BB

ნაწილი საფონდო: 4554

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216CH1H104K160AA

C3216CH1H104K160AA

ნაწილი საფონდო: 142328

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1H473M050BB

C1005JB1H473M050BB

ნაწილი საფონდო: 135725

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7T2V683K130AA

C3216X7T2V683K130AA

ნაწილი საფონდო: 144512

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 350V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402JB0G222K020BC

C0402JB0G222K020BC

ნაწილი საფონდო: 162230

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608JB1E105M080AC

C1608JB1E105M080AC

ნაწილი საფონდო: 186051

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB0J105K050BB

C1005JB0J105K050BB

ნაწილი საფონდო: 5209

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G2W151K060AA

C2012C0G2W151K060AA

ნაწილი საფონდო: 114123

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი