კერამიკული კონდენსატორები

C0603CH1H390J030BA

C0603CH1H390J030BA

ნაწილი საფონდო: 152369

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R1A685M085AB

C2012X5R1A685M085AB

ნაწილი საფონდო: 189726

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3AD222KYNR

CK45-B3AD222KYNR

ნაწილი საფონდო: 4836

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1608NP01H270J080AA

C1608NP01H270J080AA

ნაწილი საფონდო: 139580

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005JB1A684M050BC

C1005JB1A684M050BC

ნაწილი საფონდო: 7634

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X7R1E472K

C1005X7R1E472K

ნაწილი საფონდო: 5341

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012JB1H104M085AA

C2012JB1H104M085AA

ნაწილი საფონდო: 156491

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X6S1E105M080AB

C1608X6S1E105M080AB

ნაწილი საფონდო: 176498

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005CH1H100C050BA

C1005CH1H100C050BA

ნაწილი საფონდო: 188476

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA5F1X7T2J103K

CGA5F1X7T2J103K

ნაწილი საფონდო: 3843

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7T, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603CH1H120K030BA

C0603CH1H120K030BA

ნაწილი საფონდო: 195384

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3AD152KYNR

CK45-B3AD152KYNR

ნაწილი საფონდო: 119401

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0402CH1CR75C020BC

C0402CH1CR75C020BC

ნაწილი საფონდო: 155815

ტევადობა: 0.75pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X7R1E103K050BB

C1005X7R1E103K050BB

ნაწილი საფონდო: 167192

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E180J030BG

C0603C0G1E180J030BG

ნაწილი საფონდო: 3663

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603JB1A153K030BC

C0603JB1A153K030BC

ნაწილი საფონდო: 156429

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X5R1H333M080AA

C1608X5R1H333M080AA

ნაწილი საფონდო: 101832

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R1V105M085AB

C2012X7R1V105M085AB

ნაწილი საფონდო: 166989

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005CH1H050B050BA

C1005CH1H050B050BA

ნაწილი საფონდო: 136119

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X6S1E105K080AB

C1608X6S1E105K080AB

ნაწილი საფონდო: 142670

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB1H104K085AA

C2012JB1H104K085AA

ნაწილი საფონდო: 162894

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ3E2X7R1E153K080AA

CGJ3E2X7R1E153K080AA

ნაწილი საფონდო: 106892

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X7R1H221K

CGA3E2X7R1H221K

ნაწილი საფონდო: 6444

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD122KYNR

CK45-B3AD122KYNR

ნაწილი საფონდო: 8068

ტევადობა: 1200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1005JB0J474K050BB

C1005JB0J474K050BB

ნაწილი საფონდო: 7888

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB0J334M050BB

C1005JB0J334M050BB

ნაწილი საფონდო: 9422

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X7R1H221K050BA

C1005X7R1H221K050BA

ნაწილი საფონდო: 107953

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X6S1A105K080AC

C1608X6S1A105K080AC

ნაწილი საფონდო: 183922

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA8P2NP01H154J250KA

CGA8P2NP01H154J250KA

ნაწილი საფონდო: 89046

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005CH1H030C050BA

C1005CH1H030C050BA

ნაწილი საფონდო: 109789

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB0J154M050BB

C1005JB0J154M050BB

ნაწილი საფონდო: 4109

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X6S1V105M080AB

C1608X6S1V105M080AB

ნაწილი საფონდო: 159158

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB0J154K050BB

C1005JB0J154K050BB

ნაწილი საფონდო: 7423

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB1E226M125AC

C2012JB1E226M125AC

ნაწილი საფონდო: 148408

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3AD102KYNR

CK45-B3AD102KYNR

ნაწილი საფონდო: 695

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012JB1A475M125AA

C2012JB1A475M125AA

ნაწილი საფონდო: 186779

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი