კერამიკული კონდენსატორები

C0402C0G1C620J

C0402C0G1C620J

ნაწილი საფონდო: 309

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012C0G1H471J

C2012C0G1H471J

ნაწილი საფონდო: 6903

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402CH1C270J020BC

C0402CH1C270J020BC

ნაწილი საფონდო: 105530

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G2A181J050BA

C1005C0G2A181J050BA

ნაწილი საფონდო: 111218

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X6S1A331K020BC

C0402X6S1A331K020BC

ნაწილი საფონდო: 136159

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3AD681KYNN

CK45-B3AD681KYNN

ნაწილი საფონდო: 169949

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0603X5R0J104K030BC

C0603X5R0J104K030BC

ნაწილი საფონდო: 1721

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C0R7B

C0402C0G1C0R7B

ნაწილი საფონდო: 8377

ტევადობა: 0.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225JB1H685K250AB

C3225JB1H685K250AB

ნაწილი საფონდო: 178979

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1A224M050BC

C1005JB1A224M050BC

ნაწილი საფონდო: 2506

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G2J181J060AA

C3216C0G2J181J060AA

ნაწილი საფონდო: 194624

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA8M2NP02A473J200KA

CGA8M2NP02A473J200KA

ნაწილი საფონდო: 105746

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA4F2X7R2A102M085AA

CGA4F2X7R2A102M085AA

ნაწილი საფონდო: 686

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA8M3X7S2A335K200KB

CGA8M3X7S2A335K200KB

ნაწილი საფონდო: 126860

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA5K4X7R2J153M130AA

CGA5K4X7R2J153M130AA

ნაწილი საფონდო: 163415

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD561KYNN

CK45-B3AD561KYNN

ნაწილი საფონდო: 7776

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012C0G1H391J

C2012C0G1H391J

ნაწილი საფონდო: 131

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E0R2W030BF

C0603C0G1E0R2W030BF

ნაწილი საფონდო: 4841

ტევადობა: 0.2pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603X5R0J473K030BC

C0603X5R0J473K030BC

ნაწილი საფონდო: 3861

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C0R7W

C0402C0G1C0R7W

ნაწილი საფონდო: 1731

ტევადობა: 0.7pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA8L2C0G1H473J160KA

CGA8L2C0G1H473J160KA

ნაწილი საფონდო: 149432

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA6P2X7R1H105K160AA

CGA6P2X7R1H105K160AA

ნაწილი საფონდო: 174555

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225JB1H475M250AB

C3225JB1H475M250AB

ნაწილი საფონდო: 173795

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1A224K050BC

C1005JB1A224K050BC

ნაწილი საფონდო: 7326

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B2NP01H180J050BA

CGA2B2NP01H180J050BA

ნაწილი საფონდო: 133671

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA5L2X5R1E225K160AA

CGA5L2X5R1E225K160AA

ნაწილი საფონდო: 149443

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CLLE1AX7R0J155M085AC

CLLE1AX7R0J155M085AC

ნაწილი საფონდო: 116156

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
CK45-B3AD471KYNN

CK45-B3AD471KYNN

ნაწილი საფონდო: 323

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0603JB1C104K030BC

C0603JB1C104K030BC

ნაწილი საფონდო: 147129

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C0R6W

C0402C0G1C0R6W

ნაწილი საფონდო: 7772

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X5R0J223K030BC

C0603X5R0J223K030BC

ნაწილი საფონდო: 8370

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G1H331J

C2012C0G1H331J

ნაწილი საფონდო: 4511

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA5F2X8R2A333M085AA

CGA5F2X8R2A333M085AA

ნაწილი საფონდო: 3155

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005JB1A154M050BC

C1005JB1A154M050BC

ნაწილი საფონდო: 5200

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603JB1E681K030BA

C0603JB1E681K030BA

ნაწილი საფონდო: 166407

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225JB1H225K200AA

C3225JB1H225K200AA

ნაწილი საფონდო: 124156

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი