კერამიკული კონდენსატორები

C2012X7R1H472K

C2012X7R1H472K

ნაწილი საფონდო: 6893

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X7R1H473M080AA

C1608X7R1H473M080AA

ნაწილი საფონდო: 118396

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G1H070D080AA

C1608C0G1H070D080AA

ნაწილი საფონდო: 118895

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216X7R1H224K115AA

C3216X7R1H224K115AA

ნაწილი საფონდო: 115125

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1C105K050BC

C1005JB1C105K050BC

ნაწილი საფონდო: 124354

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4520C0G3F270K160KA

C4520C0G3F270K160KA

ნაწილი საფონდო: 134576

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGA2B2NP01H120J050BA

CGA2B2NP01H120J050BA

ნაწილი საფონდო: 115646

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CK45-B3AD562KYNN

CK45-B3AD562KYNN

ნაწილი საფონდო: 105780

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012X7R2A472M085AA

C2012X7R2A472M085AA

ნაწილი საფონდო: 114030

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C470J020BC

C0402C0G1C470J020BC

ნაწილი საფონდო: 144728

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CEU3E2X7R2A152K080AE

CEU3E2X7R2A152K080AE

ნაწილი საფონდო: 140037

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C2012X7R1H222M

C2012X7R1H222M

ნაწილი საფონდო: 3100

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E3R9C030BG

C0603C0G1E3R9C030BG

ნაწილი საფონდო: 9087

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGJ2B2X7R1E332K050BA

CGJ2B2X7R1E332K050BA

ნაწილი საფონდო: 165754

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1C104M050BA

C1005JB1C104M050BA

ნაწილი საფონდო: 124998

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X5R1A334M030BC

C0603X5R1A334M030BC

ნაწილი საფონდო: 121661

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3AD472KYNN

CK45-B3AD472KYNN

ნაწილი საფონდო: 121975

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0603X5R1A333M030BC

C0603X5R1A333M030BC

ნაწილი საფონდო: 6886

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532JB2A105M230KA

C4532JB2A105M230KA

ნაწილი საფონდო: 108851

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C0402C0G1C430J

C0402C0G1C430J

ნაწილი საფონდო: 8750

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1C104K050BA

C1005JB1C104K050BA

ნაწილი საფონდო: 100076

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R1H222K

C2012X7R1H222K

ნაწილი საფონდო: 3374

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD332KYNN

CK45-B3AD332KYNN

ნაწილი საფონდო: 169549

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3216X7R1C105M/0.85

C3216X7R1C105M/0.85

ნაწილი საფონდო: 954

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C430G

C0402C0G1C430G

ნაწილი საფონდო: 5120

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402X5R1A332M020BC

C0402X5R1A332M020BC

ნაწილი საფონდო: 8234

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3AD222KYNN

CK45-B3AD222KYNN

ნაწილი საფონდო: 3353

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012X7R1H102M

C2012X7R1H102M

ნაწილი საფონდო: 5895

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA2B3X7S2A152K050BB

CGA2B3X7S2A152K050BB

ნაწილი საფონდო: 127211

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C220J020BC

C0402C0G1C220J020BC

ნაწილი საფონდო: 134968

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005NP01H561J050BA

C1005NP01H561J050BA

ნაწილი საფონდო: 130684

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1608X6S1A335K080AC

C1608X6S1A335K080AC

ნაწილი საფონდო: 189559

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532JB1H685K250KA

C4532JB1H685K250KA

ნაწილი საფონდო: 131862

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1A684K050BC

C1005JB1A684K050BC

ნაწილი საფონდო: 7810

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ4C2C0G1H121J060AA

CGJ4C2C0G1H121J060AA

ნაწილი საფონდო: 167023

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3AD152KYNN

CK45-B3AD152KYNN

ნაწილი საფონდო: 2902

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი