კერამიკული კონდენსატორები

C0603C0G1E270G

C0603C0G1E270G

ნაწილი საფონდო: 7782

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X7R1E105K085AB

C2012X7R1E105K085AB

ნაწილი საფონდო: 119947

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R1V105M125AB

C2012X7R1V105M125AB

ნაწილი საფონდო: 163997

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3FD121KYNN

CK45-B3FD121KYNN

ნაწილი საფონდო: 4768

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012X6S1H225K085AC

C2012X6S1H225K085AC

ნაწილი საფონდო: 147611

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1H102K050BA

C1005JB1H102K050BA

ნაწილი საფონდო: 108417

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402X5R1A471K

C0402X5R1A471K

ნაწილი საფონდო: 8285

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C3225X5R1C106M200AA

C3225X5R1C106M200AA

ნაწილი საფონდო: 176932

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2NP01H821J080AA

CGA3E2NP01H821J080AA

ნაწილი საფონდო: 166934

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C0603C0G1E240G

C0603C0G1E240G

ნაწილი საფონდო: 1335

ტევადობა: 24pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1ER75C030BA

C0603C0G1ER75C030BA

ნაწილი საფონდო: 141274

ტევადობა: 0.75pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532X7R2A105K230KA

C4532X7R2A105K230KA

ნაწილი საფონდო: 187867

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005C0G1H090D050BA

C1005C0G1H090D050BA

ნაწილი საფონდო: 117930

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G1H392K060AA

C3216C0G1H392K060AA

ნაწილი საფონდო: 129685

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLE1AX7R0G104M050AC

CLLE1AX7R0G104M050AC

ნაწილი საფონდო: 108738

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C2012X7R1V105K125AB

C2012X7R1V105K125AB

ნაწილი საფონდო: 149480

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3FD101KYNN

CK45-B3FD101KYNN

ნაწილი საფონდო: 5820

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0603CH1E330J030BA

C0603CH1E330J030BA

ნაწილი საფონდო: 147804

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2C0G2A6R8D080AD

CGA3E2C0G2A6R8D080AD

ნაწილი საფონდო: 197485

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C0603C0G1E220G

C0603C0G1E220G

ნაწილი საფონდო: 1666

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2NP01H180J080AA

CGA3E2NP01H180J080AA

ნაწილი საფონდო: 174462

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1608C0G2E331K080AA

C1608C0G2E331K080AA

ნაწილი საფონდო: 148460

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3DD332KYNN

CK45-B3DD332KYNN

ნაწილი საფონდო: 3093

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C2012X7R1H105M125AB

C2012X7R1H105M125AB

ნაწილი საფონდო: 137285

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1E474K050BB

C1005JB1E474K050BB

ნაწილი საფონდო: 146916

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X5R1H103M080AA

CGA3E2X5R1H103M080AA

ნაწილი საფონდო: 145865

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1E200G

C0603C0G1E200G

ნაწილი საფონდო: 6819

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X7R2A682K085AA

C2012X7R2A682K085AA

ნაწილი საფონდო: 146551

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3DD222KYNN

CK45-B3DD222KYNN

ნაწილი საფონდო: 6311

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGA3E2NP01H120J080AA

CGA3E2NP01H120J080AA

ნაწილი საფონდო: 125649

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1632X5R1E474M115AC

C1632X5R1E474M115AC

ნაწილი საფონდო: 143642

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL (Reverse Geometry),

სასურველი
C1608CH1H561K080AA

C1608CH1H561K080AA

ნაწილი საფონდო: 162182

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1E334M050BB

C1005JB1E334M050BB

ნაწილი საფონდო: 186669

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216Y5V1A226Z/8

C3216Y5V1A226Z/8

ნაწილი საფონდო: 191231

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1E180G

C0603C0G1E180G

ნაწილი საფონდო: 1490

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X8R1E684K125AE

C2012X8R1E684K125AE

ნაწილი საფონდო: 101097

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination, High Temperature,

სასურველი