კერამიკული კონდენსატორები

CGA4J2X5R1A225K125AA

CGA4J2X5R1A225K125AA

ნაწილი საფონდო: 118138

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1H020B

C0603C0G1H020B

ნაწილი საფონდო: 7965

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X7R1E684K125AB

C2012X7R1E684K125AB

ნაწილი საფონდო: 197635

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1V334K050BC

C1005JB1V334K050BC

ნაწილი საფონდო: 185435

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E101G

C0603C0G1E101G

ნაწილი საფონდო: 999

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CK45-B3FD681KYNN

CK45-B3FD681KYNN

ნაწილი საფონდო: 137292

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1608C0G1H101F080AA

C1608C0G1H101F080AA

ნაწილი საფონდო: 116337

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X5R1H102M080AA

CGA3E2X5R1H102M080AA

ნაწილი საფონდო: 191360

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603C0G1H1R5B

C0603C0G1H1R5B

ნაწილი საფონდო: 5452

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1V105M050BC

C1005JB1V105M050BC

ნაწილი საფონდო: 113912

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R1E474M125AA

C2012X7R1E474M125AA

ნაწილი საფონდო: 163834

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532C0G2J473K320KA

C4532C0G2J473K320KA

ნაწილი საფონდო: 69355

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603C0G1E750G

C0603C0G1E750G

ნაწილი საფონდო: 5900

ტევადობა: 75pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X6S0G104K050BA

C1005X6S0G104K050BA

ნაწილი საფონდო: 134071

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012JB1E105K125AA

C2012JB1E105K125AA

ნაწილი საფონდო: 142616

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X5R1E681M030BA

C0603X5R1E681M030BA

ნაწილი საფონდო: 163683

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1H010B

C0603C0G1H010B

ნაწილი საფონდო: 8138

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608C0G1H220F080AA

C1608C0G1H220F080AA

ნაწილი საფონდო: 114571

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X5R1H102K080AA

CGA3E2X5R1H102K080AA

ნაწილი საფონდო: 148109

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005JB1V104M050BB

C1005JB1V104M050BB

ნაწილი საფონდო: 120095

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402CH1C560K020BC

C0402CH1C560K020BC

ნაწილი საფონდო: 171530

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E680G

C0603C0G1E680G

ნაწილი საფონდო: 6086

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X7R1E334M

C2012X7R1E334M

ნაწილი საფონდო: 3870

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225X5R2A225K230AB

C3225X5R2A225K230AB

ნაწილი საფონდო: 194925

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CK45-B3FD471KYNN

CK45-B3FD471KYNN

ნაწილი საფონდო: 163337

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C3225X5R1H685M250AB

C3225X5R1H685M250AB

ნაწილი საფონდო: 178984

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225X5R1H225M250AB

C3225X5R1H225M250AB

ნაწილი საფონდო: 165917

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1H0R5B

C0603C0G1H0R5B

ნაწილი საფონდო: 392

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1V104K050BB

C1005JB1V104K050BB

ნაწილი საფონდო: 161590

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C5R6B

C0402C0G1C5R6B

ნაწილი საფონდო: 4410

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X5R1H104M080AA

CGA3E2X5R1H104M080AA

ნაწილი საფონდო: 104321

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005C0G1H101G050BA

C1005C0G1H101G050BA

ნაწილი საფონდო: 159241

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R1E334K

C2012X7R1E334K

ნაწილი საფონდო: 2884

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1H104M050BB

C1005JB1H104M050BB

ნაწილი საფონდო: 134470

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X8R2A152M080AD

CGA3E2X8R2A152M080AD

ნაწილი საფონდო: 172071

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
C1005X7R1H331M050BA

C1005X7R1H331M050BA

ნაწილი საფონდო: 167010

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი