კერამიკული კონდენსატორები

CGA3E2X7R1H332M080AD

CGA3E2X7R1H332M080AD

ნაწილი საფონდო: 130231

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
CGA3E2X5R1H472K080AA

CGA3E2X5R1H472K080AA

ნაწილი საფონდო: 186781

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603X6S0G223K030BC

C0603X6S0G223K030BC

ნაწილი საფონდო: 1359

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C100E

C0402C0G1C100E

ნაწილი საფონდო: 6555

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.2pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X6S1H475M160AB

C3216X6S1H475M160AB

ნაწილი საფონდო: 194158

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLD11X7R1C473M

CLLD11X7R1C473M

ნაწილი საფონდო: 8124

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C3216C0G2J152K115AA

C3216C0G2J152K115AA

ნაწილი საფონდო: 141927

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2NP02A121J080AA

CGA3E2NP02A121J080AA

ნაწილი საფონდო: 138040

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C0603X5R1E473K030BB

C0603X5R1E473K030BB

ნაწილი საფონდო: 184016

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G2A151K080AA

C1608C0G2A151K080AA

ნაწილი საფონდო: 150294

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C9R1C

C0402C0G1C9R1C

ნაწილი საფონდო: 2295

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216X6S1H475K160AB

C3216X6S1H475K160AB

ნაწილი საფონდო: 147309

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ3E2X7R1E333K080AA

CGJ3E2X7R1E333K080AA

ნაწილი საფონდო: 120979

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X5R1E224M030BC

C0603X5R1E224M030BC

ნაწილი საფონდო: 108164

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CK45-B3FD102KYNRA

CK45-B3FD102KYNRA

ნაწილი საფონდო: 6542

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C0402C0G1C9R1B

C0402C0G1C9R1B

ნაწილი საფონდო: 5022

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7S1A474M050BC

C1005X7S1A474M050BC

ნაწილი საფონდო: 169025

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3216C0G2A333K160AA

C3216C0G2A333K160AA

ნაწილი საფონდო: 198380

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA4F3X7S2A224K

CGA4F3X7S2A224K

ნაწილი საფონდო: 1616

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X5R1E224K030BC

C0603X5R1E224K030BC

ნაწილი საფონდო: 143877

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CC45SL3FD331JYNNA

CC45SL3FD331JYNNA

ნაწილი საფონდო: 8403

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 3000V (3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
C0402C0G1C090C

C0402C0G1C090C

ნაწილი საფონდო: 9511

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7S1A474K050BC

C1005X7S1A474K050BC

ნაწილი საფონდო: 191599

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C3225X7R2A474M200AA

C3225X7R2A474M200AA

ნაწილი საფონდო: 107284

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012C0G1H472K060AA

C2012C0G1H472K060AA

ნაწილი საფონდო: 155150

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603CH1E1R5C030BA

C0603CH1E1R5C030BA

ნაწილი საფონდო: 176651

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005JB1H473K050BB

C1005JB1H473K050BB

ნაწილი საფონდო: 170082

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X5R1E223M030BB

C0603X5R1E223M030BB

ნაწილი საფონდო: 173029

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X5R1H334M080AB

C1608X5R1H334M080AB

ნაწილი საფონდო: 149475

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C8R2B

C0402C0G1C8R2B

ნაწილი საფონდო: 6501

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X7S0J474M050BB

C1005X7S0J474M050BB

ნაწილი საფონდო: 150956

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA3E2X7R2A332M080AA

CGA3E2X7R2A332M080AA

ნაწილი საფონდო: 187362

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608JB1H223M080AA

C1608JB1H223M080AA

ნაწილი საფონდო: 156987

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C200G

C0402C0G1C200G

ნაწილი საფონდო: 6631

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X5R1C104M030BC

C0603X5R1C104M030BC

ნაწილი საფონდო: 166957

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C070B

C0402C0G1C070B

ნაწილი საფონდო: 9638

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი