კერამიკული კონდენსატორები

C4532X7R1C106K230KM

C4532X7R1C106K230KM

ნაწილი საფონდო: 195332

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA3E2X5R1H683K080AA

CGA3E2X5R1H683K080AA

ნაწილი საფონდო: 156985

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C2012X5R1A685M125AB

C2012X5R1A685M125AB

ნაწილი საფონდო: 3869

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E1R2C030BF

C0603C0G1E1R2C030BF

ნაწილი საფონდო: 2791

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGJ5H4X7R2H152K115AA

CGJ5H4X7R2H152K115AA

ნაწილი საფონდო: 154373

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA2B2X5R1H332K050BA

CGA2B2X5R1H332K050BA

ნაწილი საფონდო: 134088

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C0603X6S1C473K030BC

C0603X6S1C473K030BC

ნაწილი საფონდო: 148191

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ4J2X7R0J155K125AA

CGJ4J2X7R0J155K125AA

ნაწილი საფონდო: 127595

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X8R1H683K125AE

C2012X8R1H683K125AE

ნაწილი საფონდო: 104622

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
CD14-E2GA332MYNS

CD14-E2GA332MYNS

ნაწილი საფონდო: 7446

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1608NP02A271J080AA

C1608NP02A271J080AA

ნაწილი საფონდო: 137976

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005JB1H222K050BA

C1005JB1H222K050BA

ნაწილი საფონდო: 192824

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLD11X7S0G155M

CLLD11X7S0G155M

ნაწილი საფონდო: 9168

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
CGJ2B2C0G1H050C050BA

CGJ2B2C0G1H050C050BA

ნაწილი საფონდო: 199666

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005JB1C224M050BB

C1005JB1C224M050BB

ნაწილი საფონდო: 151429

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: JB, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0402C0G1C030B

C0402C0G1C030B

ნაწილი საფონდო: 9903

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3225X7R2J683K200AM

C3225X7R2J683K200AM

ნაწილი საფონდო: 146185

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C0603C0G1E1R2B030BF

C0603C0G1E1R2B030BF

ნაწილი საფონდო: 9737

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C2012X5R1A685K125AB

C2012X5R1A685K125AB

ნაწილი საფონდო: 3484

ტევადობა: 6.8µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603X6S1C223M030BC

C0603X6S1C223M030BC

ნაწილი საფონდო: 103859

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ3E2X7R1H683K080AA

CGJ3E2X7R1H683K080AA

ნაწილი საფონდო: 107323

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CLLD11X7S0G105M

CLLD11X7S0G105M

ნაწილი საფონდო: 78

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C0603C0G1E010B030BF

C0603C0G1E010B030BF

ნაწილი საფონდო: 9883

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603X6S1C223K030BC

C0603X6S1C223K030BC

ნაწილი საფონდო: 129169

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ3E2X7R1C104K080AA

CGJ3E2X7R1C104K080AA

ნაწილი საფონდო: 183121

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608CH1H391J080AA

C1608CH1H391J080AA

ნაწილი საფონდო: 168834

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLD11X7R0J684M

CLLD11X7R0J684M

ნაწილი საფონდო: 8914

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C0603C0G1E0R6B030BF

C0603C0G1E0R6B030BF

ნაწილი საფონდო: 3789

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603X6S1A473M030BB

C0603X6S1A473M030BB

ნაწილი საფონდო: 174133

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ3E2X7R1A474K080AA

CGJ3E2X7R1A474K080AA

ნაწილი საფონდო: 114239

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C3216CH2J121J060AA

C3216CH2J121J060AA

ნაწილი საფონდო: 166487

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CLLD11X7R1A474M

CLLD11X7R1A474M

ნაწილი საფონდო: 3735

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი
C0603C0G1E0R5B030BF

C0603C0G1E0R5B030BF

ნაწილი საფონდო: 8958

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
CGJ3E2X7R0J105K080AA

CGJ3E2X7R0J105K080AA

ნაწილი საფონდო: 199402

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X6S1A224K030BC

C0603X6S1A224K030BC

ნაწილი საფონდო: 119630

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CLLD11X7R1A334M

CLLD11X7R1A334M

ნაწილი საფონდო: 5166

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL (Multi-Terminal),

სასურველი