კერამიკული კონდენსატორები

C5750X7R1E156M280KM

C5750X7R1E156M280KM

ნაწილი საფონდო: 97981

ტევადობა: 15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0603X7S0J224M030BC

C0603X7S0J224M030BC

ნაწილი საფონდო: 181631

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012C0G1E223J125AA

C2012C0G1E223J125AA

ნაწილი საფონდო: 136053

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005C0G1H471K050BA

C1005C0G1H471K050BA

ნაწილი საფონდო: 138452

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X6S0G106K125AC

C2012X6S0G106K125AC

ნაწილი საფონდო: 147023

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608SL1A153J

C1608SL1A153J

ნაწილი საფონდო: 7998

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CS10-B2GA102KYNS

CS10-B2GA102KYNS

ნაწილი საფონდო: 2484

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1005C0G1H151K050BA

C1005C0G1H151K050BA

ნაწილი საფონდო: 157110

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G1E682J080AA

C1608C0G1E682J080AA

ნაწილი საფონდო: 151588

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G1H0R5C080AA

C1608C0G1H0R5C080AA

ნაწილი საფონდო: 181038

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608CH1H151K080AA

C1608CH1H151K080AA

ნაწილი საფონდო: 145295

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA2B2X8R1H151M050BE

CGA2B2X8R1H151M050BE

ნაწილი საფონდო: 133278

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C0603C0G1E4R2C030BG

C0603C0G1E4R2C030BG

ნაწილი საფონდო: 2485

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C3216Y5V1H105Z

C3216Y5V1H105Z

ნაწილი საფონდო: 4574

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005C0G1H101K050BA

C1005C0G1H101K050BA

ნაწილი საფონდო: 198387

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C4532X7R2J104K230KM

C4532X7R2J104K230KM

ნაწილი საფონდო: 166205

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C4532X7R2J683K160KM

C4532X7R2J683K160KM

ნაწილი საფონდო: 116185

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 630V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C2012X5R2A104M125AA

C2012X5R2A104M125AA

ნაწილი საფონდო: 134351

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CS95-B2GA681KYNS

CS95-B2GA681KYNS

ნაწილი საფონდო: 3951

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGA2B2X8R2A151M050BA

CGA2B2X8R2A151M050BA

ნაწილი საფონდო: 119636

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C1005SL1A152J

C1005SL1A152J

ნაწილი საფონდო: 9832

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C1005X8R2A152M050BA

C1005X8R2A152M050BA

ნაწილი საფონდო: 182219

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGA2B2X8R1H151K050BE

CGA2B2X8R1H151K050BE

ნაწილი საფონდო: 157545

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C0603C0G1E030C030BG

C0603C0G1E030C030BG

ნაწილი საფონდო: 7918

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C2012X7R2A222M085AA

C2012X7R2A222M085AA

ნაწილი საფონდო: 138626

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R1V684K080AB

C1608X5R1V684K080AB

ნაწილი საფონდო: 158378

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E100E030BG

C0603C0G1E100E030BG

ნაწილი საფონდო: 953

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±0.2pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C2012X7R2A472K085AM

C2012X7R2A472K085AM

ნაწილი საფონდო: 183940

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
CGA3E2C0G2A821J080AD

CGA3E2C0G2A821J080AD

ნაწილი საფონდო: 165115

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Epoxy Mountable,

სასურველი
CS17-F2GA103MYGS

CS17-F2GA103MYGS

ნაწილი საფონდო: 6923

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: F, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
C1005X7R1V473M050BB

C1005X7R1V473M050BB

ნაწილი საფონდო: 135967

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X5R2A104K125AA

C2012X5R2A104K125AA

ნაწილი საფონდო: 153856

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
CS85-B2GA471KYNS

CS85-B2GA471KYNS

ნაწილი საფონდო: 3616

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CS14-E2GA392MYGS

CS14-E2GA392MYGS

ნაწილი საფონდო: 9899

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
CGJ4J2X7R0J474K125AA

CGJ4J2X7R0J474K125AA

ნაწილი საფონდო: 186051

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CS13-E2GA332MYGS

CS13-E2GA332MYGS

ნაწილი საფონდო: 3347

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი