ფიქსირებული ინდუქტორები

T1008-R15G

T1008-R15G

ნაწილი საფონდო: 3087

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
T1008-R91G

T1008-R91G

ნაწილი საფონდო: 3103

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 910nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
T1210-68NG

T1210-68NG

ნაწილი საფონდო: 9393

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
T1812-560J

T1812-560J

ნაწილი საფონდო: 3135

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
T1210-R82G

T1210-R82G

ნაწილი საფონდო: 3076

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
T1008-R27G

T1008-R27G

ნაწილი საფონდო: 3153

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
T1210-10NG

T1210-10NG

ნაწილი საფონდო: 3089

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1812-3R9J

T1812-3R9J

ნაწილი საფონდო: 9407

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
T1812-4R7J

T1812-4R7J

ნაწილი საფონდო: 3152

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
T1008-1R8G

T1008-1R8G

ნაწილი საფონდო: 3153

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
T1210-R56G

T1210-R56G

ნაწილი საფონდო: 3148

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA,

სასურველი
T1210-39NG

T1210-39NG

ნაწილი საფონდო: 3166

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-R22G

T1008-R22G

ნაწილი საფონდო: 3066

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
T1210-27NG

T1210-27NG

ნაწილი საფონდო: 3156

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-R10G

T1008-R10G

ნაწილი საფონდო: 3127

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
T1008-R82G

T1008-R82G

ნაწილი საფონდო: 3156

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
T1008-3R9G

T1008-3R9G

ნაწილი საფონდო: 3071

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
T1210-R10G

T1210-R10G

ნაწილი საფონდო: 3127

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,

სასურველი
T1812-120J

T1812-120J

ნაწილი საფონდო: 3190

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
T1812-2R7J

T1812-2R7J

ნაწილი საფონდო: 3119

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
T1812-390J

T1812-390J

ნაწილი საფონდო: 3142

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
T1812-220J

T1812-220J

ნაწილი საფონდო: 3122

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
T1008-R39G

T1008-R39G

ნაწილი საფონდო: 3072

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
T1008-R62G

T1008-R62G

ნაწილი საფონდო: 3156

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
T1210-1R8G

T1210-1R8G

ნაწილი საფონდო: 9394

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი
T1210-2R2G

T1210-2R2G

ნაწილი საფონდო: 9312

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
T1008-R56G

T1008-R56G

ნაწილი საფონდო: 3130

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
T1008-82NG

T1008-82NG

ნაწილი საფონდო: 3070

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1812-470J

T1812-470J

ნაწილი საფონდო: 3152

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
T1210-12NG

T1210-12NG

ნაწილი საფონდო: 3097

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-68NG

T1008-68NG

ნაწილი საფონდო: 9328

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
TTC-120

TTC-120

ნაწილი საფონდო: 9353

ინდუქცია: 1.4H, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
T1210-18NG

T1210-18NG

ნაწილი საფონდო: 3131

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-22NG

T1008-22NG

ნაწილი საფონდო: 3143

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-5R6G

T1008-5R6G

ნაწილი საფონდო: 3141

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
T1812-680J

T1812-680J

ნაწილი საფონდო: 3127

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი