ფიქსირებული ინდუქტორები

TS5022-681M

TS5022-681M

ნაწილი საფონდო: 3270

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
TO5022-330M

TO5022-330M

ნაწილი საფონდო: 9324

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
TO3316-3R3M

TO3316-3R3M

ნაწილი საფონდო: 9382

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.4A,

სასურველი
TO1608-102M

TO1608-102M

ნაწილი საფონდო: 3128

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
TS1608-471M

TS1608-471M

ნაწილი საფონდო: 3208

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
TO3316-470M

TO3316-470M

ნაწილი საფონდო: 3159

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
T1812-471J

T1812-471J

ნაწილი საფონდო: 3201

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
T1812-181J

T1812-181J

ნაწილი საფონდო: 3185

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
T1812-151J

T1812-151J

ნაწილი საფონდო: 3176

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 125mA,

სასურველი
T1812-221J

T1812-221J

ნაწილი საფონდო: 3178

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,

სასურველი
TS1608-103M

TS1608-103M

ნაწილი საფონდო: 3225

ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20mA,

სასურველი
TS1608-332M

TS1608-332M

ნაწილი საფონდო: 9365

ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
TO1608-330M

TO1608-330M

ნაწილი საფონდო: 3172

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
T1812-331J

T1812-331J

ნაწილი საფონდო: 3150

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
TS5022-331M

TS5022-331M

ნაწილი საფონდო: 3203

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
TS3316-6R8M

TS3316-6R8M

ნაწილი საფონდო: 3172

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,

სასურველი
TO3316-2R2M

TO3316-2R2M

ნაწილი საფონდო: 3163

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.1A,

სასურველი
TS1608-222M

TS1608-222M

ნაწილი საფონდო: 3194

ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
TS1608-1R5M

TS1608-1R5M

ნაწილი საფონდო: 3239

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
TS1608-4R7M

TS1608-4R7M

ნაწილი საფონდო: 3200

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
T1812-101J

T1812-101J

ნაწილი საფონდო: 3163

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
T1008-2R7G

T1008-2R7G

ნაწილი საფონდო: 3066

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
T1812-150J

T1812-150J

ნაწილი საფონდო: 3124

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
T1210-R27G

T1210-R27G

ნაწილი საფონდო: 3093

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,

სასურველი
T0603-R10G

T0603-R10G

ნაწილი საფონდო: 3065

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
T1008-R68G

T1008-R68G

ნაწილი საფონდო: 3151

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
T1812-6R8J

T1812-6R8J

ნაწილი საფონდო: 3145

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
T1210-R33G

T1210-R33G

ნაწილი საფონდო: 3166

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,

სასურველი
T1008-R18G

T1008-R18G

ნაწილი საფონდო: 9328

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
T1008-8R2G

T1008-8R2G

ნაწილი საფონდო: 9387

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
T1210-56NG

T1210-56NG

ნაწილი საფონდო: 3150

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-6R8G

T1008-6R8G

ნაწილი საფონდო: 3070

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
T1812-2R2J

T1812-2R2J

ნაწილი საფონდო: 3158

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
TTC-4072

TTC-4072

ნაწილი საფონდო: 3061

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 95µH, ტოლერანტობა: ±6%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
T1008-15NG

T1008-15NG

ნაწილი საფონდო: 3062

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-12NG

T1008-12NG

ნაწილი საფონდო: 3120

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი