ფიქსირებული ინდუქტორები

TS1608-3R3M

TS1608-3R3M

ნაწილი საფონდო: 3211

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
TS5022-471M

TS5022-471M

ნაწილი საფონდო: 3215

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
TS5022-330M

TS5022-330M

ნაწილი საფონდო: 3262

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
TS3316-330M

TS3316-330M

ნაწილი საფონდო: 3258

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
TO3316-6R8M

TO3316-6R8M

ნაწილი საფონდო: 9393

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A,

სასურველი
T1812-391J

T1812-391J

ნაწილი საფონდო: 3118

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
TS5022-151M

TS5022-151M

ნაწილი საფონდო: 3250

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A,

სასურველი
TS5022-100M

TS5022-100M

ნაწილი საფონდო: 3239

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,

სასურველი
TS5022-102M

TS5022-102M

ნაწილი საფონდო: 3231

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
TS1608-472M

TS1608-472M

ნაწილი საფონდო: 3194

ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
TS1205-R68M

TS1205-R68M

ნაწილი საფონდო: 3209

ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 26A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
TO1608-1R5M

TO1608-1R5M

ნაწილი საფონდო: 3154

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
T1812-681J

T1812-681J

ნაწილი საფონდო: 3193

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
TS1608-220M

TS1608-220M

ნაწილი საფონდო: 3234

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
TO5022-100M

TO5022-100M

ნაწილი საფონდო: 9398

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A,

სასურველი
TO1608-151M

TO1608-151M

ნაწილი საფონდო: 3162

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
TS1608-330M

TS1608-330M

ნაწილი საფონდო: 3197

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
TS1608-470M

TS1608-470M

ნაწილი საფონდო: 3187

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
TS5022-221M

TS5022-221M

ნაწილი საფონდო: 3183

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A,

სასურველი
TS3316-1R0M

TS3316-1R0M

ნაწილი საფონდო: 3180

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A,

სასურველი
T1812-271J

T1812-271J

ნაწილი საფონდო: 3158

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,

სასურველი
TO1608-6R8M

TO1608-6R8M

ნაწილი საფონდო: 3213

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
TO3316-471M

TO3316-471M

ნაწილი საფონდო: 3190

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
TS1608-101M

TS1608-101M

ნაწილი საფონდო: 3216

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
TO3316-331M

TO3316-331M

ნაწილი საფონდო: 3174

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
TS1205-1R8M

TS1205-1R8M

ნაწილი საფონდო: 9343

ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 16A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
TS1608-1R0M

TS1608-1R0M

ნაწილი საფონდო: 3210

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
TS1608-331M

TS1608-331M

ნაწილი საფონდო: 3194

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
TS3316-220M

TS3316-220M

ნაწილი საფონდო: 3181

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
TS1608-151M

TS1608-151M

ნაწილი საფონდო: 3178

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
TO1608-680M

TO1608-680M

ნაწილი საფონდო: 3153

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
T1812-121J

T1812-121J

ნაწილი საფონდო: 3169

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 135mA,

სასურველი
TS1608-682M

TS1608-682M

ნაწილი საფონდო: 3190

ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
TO3316-101M

TO3316-101M

ნაწილი საფონდო: 3159

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
T1812-821J

T1812-821J

ნაწილი საფონდო: 9351

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,

სასურველი
TO1608-4R7M

TO1608-4R7M

ნაწილი საფონდო: 3181

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი