ფიქსირებული ინდუქტორები

TO3316-1R0M

TO3316-1R0M

ნაწილი საფონდო: 3181

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.8A,

სასურველი
TS1608-221M

TS1608-221M

ნაწილი საფონდო: 3206

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
TS3316-470M

TS3316-470M

ნაწილი საფონდო: 3188

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
TS3316-4R7M

TS3316-4R7M

ნაწილი საფონდო: 3241

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,

სასურველი
TO1608-3R3M

TO1608-3R3M

ნაწილი საფონდო: 9983

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,

სასურველი
TS5022-101M

TS5022-101M

ნაწილი საფონდო: 3220

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
TO3316-680M

TO3316-680M

ნაწილი საფონდო: 3198

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
TO1608-470M

TO1608-470M

ნაწილი საფონდო: 3131

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
TS5022-470M

TS5022-470M

ნაწილი საფონდო: 3221

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.45A,

სასურველი
TO1608-471M

TO1608-471M

ნაწილი საფონდო: 3211

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
TS1608-150M

TS1608-150M

ნაწილი საფონდო: 9344

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
TO3316-220M

TO3316-220M

ნაწილი საფონდო: 3214

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A,

სასურველი
TO3316-221M

TO3316-221M

ნაწილი საფონდო: 3228

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
TO3316-100M

TO3316-100M

ნაწილი საფონდო: 3176

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.9A,

სასურველი
TO5022-5R6M

TO5022-5R6M

ნაწილი საფონდო: 3166

ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.3A,

სასურველი
TO1608-681M

TO1608-681M

ნაწილი საფონდო: 3152

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
TS1205-2R7M

TS1205-2R7M

ნაწილი საფონდო: 3237

ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
TO5022-101M

TO5022-101M

ნაწილი საფონდო: 3176

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
TS5022-150M

TS5022-150M

ნაწილი საფონდო: 3242

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A,

სასურველი
TO5022-220M

TO5022-220M

ნაწილი საფონდო: 3198

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A,

სასურველი
TS1608-152M

TS1608-152M

ნაწილი საფონდო: 3245

ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
TO3316-330M

TO3316-330M

ნაწილი საფონდო: 9999

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,

სასურველი
TO3316-1R5M

TO3316-1R5M

ნაწილი საფონდო: 3198

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.4A,

სასურველი
TO3316-150M

TO3316-150M

ნაწილი საფონდო: 3232

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A,

სასურველი
TS3316-1R5M

TS3316-1R5M

ნაწილი საფონდო: 3175

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A,

სასურველი
TO1608-331M

TO1608-331M

ნაწილი საფონდო: 3126

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
TS1608-6R8M

TS1608-6R8M

ნაწილი საფონდო: 3224

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
TO1608-150M

TO1608-150M

ნაწილი საფონდო: 3216

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
TO1608-1R0M

TO1608-1R0M

ნაწილი საფონდო: 3121

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,

სასურველი
TS1608-680M

TS1608-680M

ნაწილი საფონდო: 3216

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
TS1608-102M

TS1608-102M

ნაწილი საფონდო: 3164

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
TS5022-680M

TS5022-680M

ნაწილი საფონდო: 3201

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,

სასურველი
TO5022-1R0M

TO5022-1R0M

ნაწილი საფონდო: 3176

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.6A,

სასურველი
TO1608-220M

TO1608-220M

ნაწილი საფონდო: 3138

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
T1812-820J

T1812-820J

ნაწილი საფონდო: 3174

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
TS3316-3R3M

TS3316-3R3M

ნაწილი საფონდო: 3253

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A,

სასურველი