ფიქსირებული ინდუქტორები

TO5022-3R3M

TO5022-3R3M

ნაწილი საფონდო: 9751

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.2A,

სასურველი
TS1205-1R2M

TS1205-1R2M

ნაწილი საფონდო: 9783

ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
TO3316-4R7M

TO3316-4R7M

ნაწილი საფონდო: 9753

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.8A,

სასურველი
T1812-561J

T1812-561J

ნაწილი საფონდო: 9808

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,

სასურველი
T1210-R39G

T1210-R39G

ნაწილი საფონდო: 7477

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
TS3316-100M

TS3316-100M

ნაწილი საფონდო: 7472

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
TO5022-150M

TO5022-150M

ნაწილი საფონდო: 9798

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,

სასურველი
TO1608-101M

TO1608-101M

ნაწილი საფონდო: 7505

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
T1210-33NG

T1210-33NG

ნაწილი საფონდო: 7450

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T0603-6N8G

T0603-6N8G

ნაწილი საფონდო: 9823

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
TO5022-680M

TO5022-680M

ნაწილი საფონდო: 7530

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
TO5022-2R2M

TO5022-2R2M

ნაწილი საფონდო: 9787

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.1A,

სასურველი
TO1608-2R2M

TO1608-2R2M

ნაწილი საფონდო: 7510

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,

სასურველი
T1210-R22G

T1210-R22G

ნაწილი საფონდო: 7436

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA,

სასურველი
T1812-100J

T1812-100J

ნაწილი საფონდო: 7463

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
T1210-3R3G

T1210-3R3G

ნაწილი საფონდო: 7462

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
T1008-47NG

T1008-47NG

ნაწილი საფონდო: 7423

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
T1008-R33G

T1008-R33G

ნაწილი საფონდო: 7429

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
T1812-1R5J

T1812-1R5J

ნაწილი საფონდო: 7519

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,

სასურველი
T1008-R75G

T1008-R75G

ნაწილი საფონდო: 7465

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
T1210-R47G

T1210-R47G

ნაწილი საფონდო: 7477

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,

სასურველი
T1210-2R7G

T1210-2R7G

ნაწილი საფონდო: 7434

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
TTC-119

TTC-119

ნაწილი საფონდო: 7202

ინდუქცია: 1.3H, ტოლერანტობა: -10%, +50%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
TO3316-681M

TO3316-681M

ნაწილი საფონდო: 3155

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
TO5022-470M

TO5022-470M

ნაწილი საფონდო: 3240

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A,

სასურველი
TO1608-100M

TO1608-100M

ნაწილი საფონდო: 3157

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
TO1608-221M

TO1608-221M

ნაწილი საფონდო: 3167

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
TS5022-220M

TS5022-220M

ნაწილი საფონდო: 3235

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.15A,

სასურველი
TS1608-100M

TS1608-100M

ნაწილი საფონდო: 3157

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
TO3316-102M

TO3316-102M

ნაწილი საფონდო: 3241

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
TS3316-2R2M

TS3316-2R2M

ნაწილი საფონდო: 3220

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A,

სასურველი
T1812-102J

T1812-102J

ნაწილი საფონდო: 9353

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
TO3316-151M

TO3316-151M

ნაწილი საფონდო: 3167

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
TS1608-2R2M

TS1608-2R2M

ნაწილი საფონდო: 3193

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
TS1608-681M

TS1608-681M

ნაწილი საფონდო: 3191

ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
TS3316-150M

TS3316-150M

ნაწილი საფონდო: 3244

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი