ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608P-1653-C-T5

RG1608P-1653-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8513

წინააღმდეგობა: 165 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1241-C-T5

RG1608P-1241-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8329

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-9090-C-T5

RG1608P-9090-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8330

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-132-P-T1

RG2012N-132-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8585

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-511-P-T1

RG2012N-511-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8531

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2871-C-T5

RG1608P-2871-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8439

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3652-C-T5

RG1608P-3652-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4861

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1820-C-T5

RG1608P-1820-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8335

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1050-C-T5

RG1608P-1050-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8320

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-682-P-T1

RG2012N-682-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8552

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1870-C-T5

RG1608P-1870-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8289

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-4870-P-T1

RG2012N-4870-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8641

წინააღმდეგობა: 487 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2670-P-T1

RG2012N-2670-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8570

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1133-C-T5

RG1608P-1133-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8467

წინააღმდეგობა: 113 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-9762-C-T5

RG1608P-9762-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8473

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7682-C-T5

RG1608P-7682-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8534

წინააღმდეგობა: 76.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4751-C-T5

RG1608P-4751-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8427

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-431-P-T1

RG2012N-431-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8583

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-241-P-T1

RG2012N-241-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8552

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1740-C-T5

RG1608P-1740-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8277

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6982-C-T5

RG1608P-6982-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8509

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-183-C-T5

RG1608P-183-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8248

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5360-C-T5

RG1608P-5360-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8321

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2150-P-T1

RG2012N-2150-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8620

წინააღმდეგობა: 215 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3161-C-T5

RG1608P-3161-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4861

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7151-C-T5

RG1608P-7151-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8457

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5362-C-T5

RG1608P-5362-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4864

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-1330-P-T1

RG2012N-1330-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8538

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-1270-C-T5

RG1608V-1270-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7737

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1070-C-T5

RG1608N-1070-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8014

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2551-B-T1

RG1608P-2551-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7587

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-95R3-C-T5

RG1608N-95R3-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7942

წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2053-C-T5

RG1608N-2053-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4862

წინააღმდეგობა: 205 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1580-B-T1

RG1608P-1580-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4824

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-60R4-B-T1

RG1608P-60R4-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7566

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1071-C-T5

RG1608N-1071-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8001

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი