ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608P-2672-C-T5

RG1608P-2672-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8516

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-90R9-C-T5

RG1608P-90R9-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8273

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2322-C-T5

RG1608P-2322-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4895

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1541-C-T5

RG1608P-1541-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4851

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6981-C-T5

RG1608P-6981-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8378

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6492-C-T5

RG1608P-6492-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8454

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7152-C-T5

RG1608P-7152-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8458

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-753-C-T5

RG1608P-753-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8201

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5762-C-T5

RG1608P-5762-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8473

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-114-C-T5

RG1608P-114-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8223

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4322-C-T5

RG1608P-4322-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8459

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-221-P-T1

RG2012N-221-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8493

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1052-C-T5

RG1608P-1052-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4908

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2262-C-T5

RG1608P-2262-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8434

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2740-P-T1

RG2012N-2740-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8617

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-1470-P-T1

RG2012N-1470-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8532

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-3480-P-T1

RG2012N-3480-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8588

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3832-C-T5

RG1608P-3832-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8463

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1150-C-T5

RG1608P-1150-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8257

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2150-C-T5

RG1608P-2150-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8292

წინააღმდეგობა: 215 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-432-P-T1

RG2012N-432-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8554

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1623-C-T5

RG1608P-1623-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 162 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3742-C-T5

RG1608P-3742-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8460

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4642-C-T5

RG1608P-4642-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8509

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2492-C-T5

RG1608P-2492-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8448

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1652-C-T5

RG1608P-1652-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8418

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-3920-P-T1

RG2012N-3920-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8594

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6812-C-T5

RG1608P-6812-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4862

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4871-C-T5

RG1608P-4871-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8388

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-913-C-T5

RG1608P-913-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8257

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2210-P-T1

RG2012N-2210-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8601

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4120-C-T5

RG1608P-4120-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8275

წინააღმდეგობა: 412 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1132-C-T5

RG1608P-1132-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8473

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-3830-P-T1

RG2012N-3830-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8643

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7321-C-T5

RG1608P-7321-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8407

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-623-C-T5

RG1608P-623-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8214

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი