ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG2012N-6340-P-T1

RG2012N-6340-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8622

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-222-P-T1

RG2012N-222-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8533

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1370-C-T5

RG1608P-1370-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8319

წინააღმდეგობა: 137 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1781-C-T5

RG1608P-1781-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8354

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5902-C-T5

RG1608P-5902-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8538

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1070-C-T5

RG1608P-1070-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8267

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4872-C-T5

RG1608P-4872-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8464

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1270-C-T5

RG1608P-1270-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8301

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2741-C-T5

RG1608P-2741-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8424

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2050-P-T1

RG2012N-2050-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8610

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5901-C-T5

RG1608P-5901-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8465

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1432-C-T5

RG1608P-1432-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4891

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-66R5-C-T5

RG1608P-66R5-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8261

წინააღმდეგობა: 66.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5231-C-T5

RG1608P-5231-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4886

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5760-C-T5

RG1608P-5760-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8298

წინააღმდეგობა: 576 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1072-C-T5

RG1608P-1072-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8419

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-8661-C-T5

RG1608P-8661-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8451

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-52R3-C-T5

RG1608P-52R3-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8241

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-202-P-T1

RG2012N-202-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8512

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1211-C-T5

RG1608P-1211-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8365

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-1910-P-T1

RG2012N-1910-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8589

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-6980-P-T1

RG2012N-6980-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8573

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-274-C-T5

RG1608P-274-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8276

წინააღმდეგობა: 270 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-9531-C-T5

RG1608P-9531-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8433

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-2320-P-T1

RG2012N-2320-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8551

წინააღმდეგობა: 232 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1471-C-T5

RG1608P-1471-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8317

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1403-C-T5

RG1608P-1403-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 140 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2103-C-T5

RG1608P-2103-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8527

წინააღმდეგობა: 210 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-84R5-C-T5

RG1608P-84R5-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8270

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-6190-P-T1

RG2012N-6190-P-T1

ნაწილი საფონდო: 8634

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1183-C-T5

RG1608P-1183-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8554

წინააღმდეგობა: 118 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG2012N-562-P-T1

RG2012N-562-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4932

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5491-C-T5

RG1608P-5491-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8444

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4990-C-T5

RG1608P-4990-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8359

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-8062-C-T5

RG1608P-8062-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8544

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-163-C-T5

RG1608P-163-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8261

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი