ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608N-1650-C-T5

RG1608N-1650-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7941

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-122-B-T1

RG1608P-122-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7462

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3243-B-T1

RG1608P-3243-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7792

წინააღმდეგობა: 324 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-4641-C-T5

RG1608N-4641-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8079

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-8062-B-T1

RG1608P-8062-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7761

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-3920-C-T5

RG1608V-3920-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7844

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-562-C-T5

RG1608P-562-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8174

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6341-B-T1

RG1608P-6341-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4855

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1583-B-T1

RG1608P-1583-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7759

წინააღმდეგობა: 158 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-823-B-T1

RG1608P-823-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7527

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1073-B-T1

RG1608P-1073-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7686

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-511-C-T5

RG1608P-511-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8157

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2800-C-T5

RG1608N-2800-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8038

წინააღმდეგობა: 280 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6491-B-T1

RG1608P-6491-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7694

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1212-C-T5

RG1608N-1212-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8143

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-8062-C-T5

RG1608N-8062-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8200

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1333-C-T5

RG1608N-1333-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8139

წინააღმდეგობა: 133 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2672-C-T5

RG1608N-2672-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8086

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-911-B-T1

RG1608P-911-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7483

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1873-C-T5

RG1608N-1873-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8163

წინააღმდეგობა: 187 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1822-B-T1

RG1608P-1822-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4797

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-242-C-T5

RG1608V-242-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4784

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-4021-C-T5

RG1608V-4021-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7842

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-1151-C-T5

RG1608V-1151-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7871

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-753-B-T1

RG1608P-753-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7504

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-6341-C-T5

RG1608N-6341-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8094

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1821-C-T5

RG1608N-1821-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8011

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1273-B-T1

RG1608P-1273-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7688

წინააღმდეგობა: 127 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3010-C-T5

RG1608N-3010-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8011

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2670-B-T1

RG1608P-2670-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7544

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1912-C-T5

RG1608N-1912-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8133

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1133-B-T1

RG1608P-1133-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4799

წინააღმდეგობა: 113 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-68R1-B-T1

RG1608P-68R1-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7565

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-5111-C-T5

RG1608N-5111-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8104

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-162-B-T1

RG1608P-162-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7525

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6810-B-T1

RG1608P-6810-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7557

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი