დენის დრაივერის მოდულები

STGIPN3H60T-H

STGIPN3H60T-H

ნაწილი საფონდო: 9371

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPQ3H60T-HLS

STGIPQ3H60T-HLS

ნაწილი საფონდო: 12771

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

სასურველი
STGIPS30C60-H

STGIPS30C60-H

ნაწილი საფონდო: 2655

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIF10CH60TS-L

STGIF10CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 4422

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

სასურველი
STGIPL20K60

STGIPL20K60

ნაწილი საფონდო: 4477

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

სასურველი
STGIPL14K60-S

STGIPL14K60-S

ნაწილი საფონდო: 1935

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.187", 30.15mm),

სასურველი
STGIPS10K60A

STGIPS10K60A

ნაწილი საფონდო: 6780

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPS10C60-H

STGIPS10C60-H

ნაწილი საფონდო: 6633

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPNS3H60T-H

STGIPNS3H60T-H

ნაწილი საფონდო: 201

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
STGIPN3H60AT

STGIPN3H60AT

ნაწილი საფონდო: 8953

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPS40W60L1

STGIPS40W60L1

ნაწილი საფონდო: 2874

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 22-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPL30C60

STGIPL30C60

ნაწილი საფონდო: 4023

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

სასურველი
STGIB30M60TS-L

STGIB30M60TS-L

ნაწილი საფონდო: 517

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

სასურველი
STGIPS14K60

STGIPS14K60

ნაწილი საფონდო: 5550

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STIPN1M50-H

STIPN1M50-H

ნაწილი საფონდო: 11211

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPS20C60-H

STGIPS20C60-H

ნაწილი საფონდო: 5400

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPS20K60

STGIPS20K60

ნაწილი საფონდო: 3813

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 17A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPN3H60-H

STGIPN3H60-H

ნაწილი საფონდო: 9331

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPN3H60-E

STGIPN3H60-E

ნაწილი საფონდო: 12696

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STIPNS1M50SDT-H

STIPNS1M50SDT-H

ნაწილი საფონდო: 3173

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
STIPNS2M50-H

STIPNS2M50-H

ნაწილი საფონდო: 856

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
STIPNS1M50T-H

STIPNS1M50T-H

ნაწილი საფონდო: 897

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
STIPNS2M50T-H

STIPNS2M50T-H

ნაწილი საფონდო: 840

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
STGIPQ5C60T-HZS

STGIPQ5C60T-HZS

ნაწილი საფონდო: 12016

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPQ5C60T-HLS

STGIPQ5C60T-HLS

ნაწილი საფონდო: 11989

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

სასურველი