დენის დრაივერის მოდულები

STGIB8CH60TS-E

STGIB8CH60TS-E

ნაწილი საფონდო: 300

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

სასურველი
STGIF7CH60TS-L

STGIF7CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 5782

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

სასურველი
STGIF5CH60TS-L

STGIF5CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 4021

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 8A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

სასურველი
STGIPS14K60T

STGIPS14K60T

ნაწილი საფონდო: 5544

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 14A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPL30C60-H

STGIPL30C60-H

ნაწილი საფონდო: 3237

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

სასურველი
STGIPS20C60

STGIPS20C60

ნაწილი საფონდო: 3595

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STIPN2M50-H

STIPN2M50-H

ნაწილი საფონდო: 9509

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPS35K60L1

STGIPS35K60L1

ნაწილი საფონდო: 2120

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 22-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STIPN1M50T-H

STIPN1M50T-H

ნაწილი საფონდო: 10679

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPN3H60

STGIPN3H60

ნაწილი საფონდო: 9419

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000VDC, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPN3H60A

STGIPN3H60A

ნაწილი საფონდო: 9401

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000VDC, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STIPN2M50T-H

STIPN2M50T-H

ნაწილი საფონდო: 9088

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STIPQ3M60T-HL

STIPQ3M60T-HL

ნაწილი საფონდო: 310

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 80mA, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

სასურველი
STGIPNS3HD60-H

STGIPNS3HD60-H

ნაწილი საფონდო: 152

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000V, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
STGIPS10K60A2

STGIPS10K60A2

ნაწილი საფონდო: 2342

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STIPQ5M60T-HL

STIPQ5M60T-HL

ნაწილი საფონდო: 215

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 80mA, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

სასურველი
STGIPQ3H60T-HZS

STGIPQ3H60T-HZS

ნაწილი საფონდო: 12699

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPS10K60T

STGIPS10K60T

ნაწილი საფონდო: 8473

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPS15C60-H

STGIPS15C60-H

ნაწილი საფონდო: 5528

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPL35K120L1

STGIPL35K120L1

ნაწილი საფონდო: 2640

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm),

სასურველი
STGIPS20C60T-H

STGIPS20C60T-H

ნაწილი საფონდო: 4369

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIB15CH60TS-E

STGIB15CH60TS-E

ნაწილი საფონდო: 4812

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),

სასურველი
STGIPL14K60

STGIPL14K60

ნაწილი საფონდო: 5039

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 14A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

სასურველი
STIPN2M50T-HL

STIPN2M50T-HL

ნაწილი საფონდო: 9110

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),

სასურველი
STGIPS15C60T-H

STGIPS15C60T-H

ნაწილი საფონდო: 5527

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIB15CH60TS-L

STGIB15CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 4795

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

სასურველი
STGIPS30C60

STGIPS30C60

ნაწილი საფონდო: 2968

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500VDC, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIB10CH60TS-L

STGIB10CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 5773

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),

სასურველი
STGIPS30C60T-H

STGIPS30C60T-H

ნაწილი საფონდო: 2657

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STIPQ5M60T-HZ

STIPQ5M60T-HZ

ნაწილი საფონდო: 346

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 80mA, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),

სასურველი
STGIPS10C60T-H

STGIPS10C60T-H

ნაწილი საფონდო: 6652

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPS10C60

STGIPS10C60

ნაწილი საფონდო: 6656

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIB8CH60TS-L

STGIB8CH60TS-L

ნაწილი საფონდო: 311

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),

სასურველი
STGIPS14K60T-H

STGIPS14K60T-H

ნაწილი საფონდო: 5562

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 14A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPS10K60T-H

STGIPS10K60T-H

ნაწილი საფონდო: 6592

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი
STGIPS15C60

STGIPS15C60

ნაწილი საფონდო: 5014

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),

სასურველი