მეხსიერება

M27C256B-70C6

M27C256B-70C6

ნაწილი საფონდო: 548

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
M48Z2M1V-85PL1

M48Z2M1V-85PL1

ნაწილი საფონდო: 882

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
M48Z2M1Y-70PL1

M48Z2M1Y-70PL1

ნაწილი საფონდო: 975

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M27C2001-12C1

M27C2001-12C1

ნაწილი საფონდო: 8809

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8),

სასურველი
M27C801-55K1

M27C801-55K1

ნაწილი საფონდო: 8813

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8),

სასურველი
NAND512W3A2BZA6E

NAND512W3A2BZA6E

ნაწილი საფონდო: 8588

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
DSM2180F3-90T6

DSM2180F3-90T6

ნაწილი საფონდო: 758

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M27C4001-12B1

M27C4001-12B1

ნაწილი საფონდო: 8071

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8),

სასურველი
M27C512-15F6

M27C512-15F6

ნაწილი საფონდო: 8359

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8),

სასურველი
M95020-MN6

M95020-MN6

ნაწილი საფონდო: 1368

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), საათის სიხშირე: 10MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M48Z512AY-70PM1

M48Z512AY-70PM1

ნაწილი საფონდო: 1798

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M48Z02-200PC1

M48Z02-200PC1

ნაწილი საფონდო: 1196

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი
M27C1001-70F1

M27C1001-70F1

ნაწილი საფონდო: 7801

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
DSM2190F4V-15K6

DSM2190F4V-15K6

ნაწილი საფონდო: 7506

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8),

სასურველი
M29W160EB70ZA6

M29W160EB70ZA6

ნაწილი საფონდო: 1772

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M25P40-VMP6

M25P40-VMP6

ნაწილი საფონდო: 7412

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 50MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms, 15ms,

სასურველი
NAND512W3A0AN6E

NAND512W3A0AN6E

ნაწილი საფონდო: 7575

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
M24128-BWMN6

M24128-BWMN6

ნაწილი საფონდო: 9408

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 128Kb (16K x 8), საათის სიხშირე: 1MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M27C256B-15C1

M27C256B-15C1

ნაწილი საფონდო: 7941

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
NAND512W3A0AV6E

NAND512W3A0AV6E

ნაწილი საფონდო: 7588

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
M27C256B-12C6

M27C256B-12C6

ნაწილი საფონდო: 7853

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
M27C64A-10F1

M27C64A-10F1

ნაწილი საფონდო: 8589

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8),

სასურველი
M68AW256ML70ZB6

M68AW256ML70ZB6

ნაწილი საფონდო: 9111

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M27C256B-12C1

M27C256B-12C1

ნაწილი საფონდო: 7855

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
DSM2180F3V-15K6

DSM2180F3V-15K6

ნაწილი საფონდო: 7440

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M48Z128-70PM1

M48Z128-70PM1

ნაწილი საფონდო: 1546

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M24C16-WMN6T

M24C16-WMN6T

ნაწილი საფონდო: 9273

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M68AW128ML70ZB6

M68AW128ML70ZB6

ნაწილი საფონდო: 9082

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (128K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M48Z512A-70PM1

M48Z512A-70PM1

ნაწილი საფონდო: 1851

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M27C512-12C6

M27C512-12C6

ნაწილი საფონდო: 8210

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8),

სასურველი
M93C56-WMN6T

M93C56-WMN6T

ნაწილი საფონდო: 1219

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M34C02-LDW6T

M34C02-LDW6T

ნაწილი საფონდო: 9416

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ms,

სასურველი
M93S56-MN6

M93S56-MN6

ნაწილი საფონდო: 1254

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (128 x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
DSM2190F4V-15T6

DSM2190F4V-15T6

ნაწილი საფონდო: 7444

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8),

სასურველი
M30LW128D110N6

M30LW128D110N6

ნაწილი საფონდო: 9053

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
M27C1001-10B1

M27C1001-10B1

ნაწილი საფონდო: 7502

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი