მეხსიერება

M95040-WMN6T

M95040-WMN6T

ნაწილი საფონდო: 1124

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8), საათის სიხშირე: 20MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M27C4001-12C1

M27C4001-12C1

ნაწილი საფონდო: 8120

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8),

სასურველი
M93C66-WMN6

M93C66-WMN6

ნაწილი საფონდო: 1291

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M93C86-MN6T

M93C86-MN6T

ნაწილი საფონდო: 1149

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M27C4001-12F1

M27C4001-12F1

ნაწილი საფონდო: 8066

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8),

სასურველი
M27C256B-15F1

M27C256B-15F1

ნაწილი საფონდო: 7990

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
M27C1001-12C1

M27C1001-12C1

ნაწილი საფონდო: 7518

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M48Z35Y-70MH1E

M48Z35Y-70MH1E

ნაწილი საფონდო: 1639

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M27C512-12C1

M27C512-12C1

ნაწილი საფონდო: 823

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8),

სასურველი
M24C64-WMN6T

M24C64-WMN6T

ნაწილი საფონდო: 9345

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 1MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M93C66-MN6

M93C66-MN6

ნაწილი საფონდო: 1331

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M24C02-WDW6T

M24C02-WDW6T

ნაწილი საფონდო: 9231

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
DSM2180F3-90K6

DSM2180F3-90K6

ნაწილი საფონდო: 7463

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M48Z12-200PC1

M48Z12-200PC1

ნაწილი საფონდო: 1521

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი
M27C4001-10F1

M27C4001-10F1

ნაწილი საფონდო: 8024

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8),

სასურველი
M29W800DB90N6T

M29W800DB90N6T

ნაწილი საფონდო: 9214

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
M27C512-15B1

M27C512-15B1

ნაწილი საფონდო: 8241

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8),

სასურველი
M58LW032D110ZA6

M58LW032D110ZA6

ნაწილი საფონდო: 9031

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

სასურველი
M27C4001-15C1

M27C4001-15C1

ნაწილი საფონდო: 8145

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8),

სასურველი
M34C02-LDW6TP

M34C02-LDW6TP

ნაწილი საფონდო: 6103

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ms,

სასურველი
DSM2180F3V-15T6

DSM2180F3V-15T6

ნაწილი საფონდო: 7464

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M27C256B-90C1

M27C256B-90C1

ნაწილი საფონდო: 8016

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
M27C1001-10C1

M27C1001-10C1

ნაწილი საფონდო: 7461

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M24C04-WDW6T

M24C04-WDW6T

ნაწილი საფონდო: 9276

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M93C46-BN6

M93C46-BN6

ნაწილი საფონდო: 1072

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
M68AW512ML70ND6

M68AW512ML70ND6

ნაწილი საფონდო: 9087

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
M24C02-WBN6

M24C02-WBN6

ნაწილი საფონდო: 9460

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

ნაწილი საფონდო: 5796

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 30ns,

სასურველი
M27C256B-70C1

M27C256B-70C1

ნაწილი საფონდო: 7936

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
M27C512-12B1

M27C512-12B1

ნაწილი საფონდო: 8221

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8),

სასურველი
M28W320CT90N6

M28W320CT90N6

ნაწილი საფონდო: 8718

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
M27C4001-10B1

M27C4001-10B1

ნაწილი საფონდო: 8075

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8),

სასურველი
M27C1001-15B1

M27C1001-15B1

ნაწილი საფონდო: 830

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8),

სასურველი
M27C512-10F1

M27C512-10F1

ნაწილი საფონდო: 8225

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - UV, მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8),

სასურველი
NAND512R3A3AZA6E

NAND512R3A3AZA6E

ნაწილი საფონდო: 7641

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
M93S46-WMN6

M93S46-WMN6

ნაწილი საფონდო: 1217

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 1Kb (64 x 16), საათის სიხშირე: 2MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი