PMIC - კარიბჭის დრაივერები

PM8834M

PM8834M

ნაწილი საფონდო: 2923

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

სასურველი
L6747A

L6747A

ნაწილი საფონდო: 2938

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6743B

L6743B

ნაწილი საფონდო: 2884

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L9610C013TR

L9610C013TR

ნაწილი საფონდო: 6919

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 6V ~ 16V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6743TR

L6743TR

ნაწილი საფონდო: 7033

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6388D

L6388D

ნაწილი საფონდო: 3567

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 1.8V,

სასურველი
L6384D

L6384D

ნაწილი საფონდო: 3557

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.6V ~ 16.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6385E

L6385E

ნაწილი საფონდო: 116263

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L9856

L9856

ნაწილი საფონდო: 8489

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.4V ~ 6.5V,

სასურველი
TD352IN

TD352IN

ნაწილი საფონდო: 3546

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 12V ~ 26V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 4.2V,

სასურველი
L9380

L9380

ნაწილი საფონდო: 8779

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7V ~ 18.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 3V,

სასურველი
TD350ID

TD350ID

ნაწილი საფონდო: 3606

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 12V ~ 26V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 4.2V,

სასურველი
E-L6569D

E-L6569D

ნაწილი საფონდო: 8399

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 16.6V,

სასურველი
L6384E

L6384E

ნაწილი საფონდო: 49203

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.6V ~ 16.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6388

L6388

ნაწილი საფონდო: 3533

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 1.8V,

სასურველი
L6388D013TR

L6388D013TR

ნაწილი საფონდო: 3580

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.1V, 1.8V,

სასურველი
L6386E

L6386E

ნაწილი საფონდო: 6914

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6387D

L6387D

ნაწილი საფონდო: 3479

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L9380-TR

L9380-TR

ნაწილი საფონდო: 6930

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7V ~ 18.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 3V,

სასურველი
L6384

L6384

ნაწილი საფონდო: 3545

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.6V ~ 16.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
E-L6571BD

E-L6571BD

ნაწილი საფონდო: 3552

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 16.6V,

სასურველი
L6386

L6386

ნაწილი საფონდო: 3586

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6743

L6743

ნაწილი საფონდო: 7306

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6743QTR

L6743QTR

ნაწილი საფონდო: 7096

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6743D

L6743D

ნაწილი საფონდო: 8384

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6743Q

L6743Q

ნაწილი საფონდო: 7347

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6384D013TR

L6384D013TR

ნაწილი საფონდო: 1956

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 14.6V ~ 16.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
TD351IN

TD351IN

ნაწილი საფონდო: 9726

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 12V ~ 26V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 4.2V,

სასურველი
E-L6569

E-L6569

ნაწილი საფონდო: 2446

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 16.6V,

სასურველი
L9375TRLF

L9375TRLF

ნაწილი საფონდო: 134

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 8, კარიბჭის ტიპი: N-Channel, P-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5.2V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1V, 2V,

სასურველი
L6747C

L6747C

ნაწილი საფონდო: 9534

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 12V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
L6386D

L6386D

ნაწილი საფონდო: 1461

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6387DTR

L6387DTR

ნაწილი საფონდო: 1934

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6385

L6385

ნაწილი საფონდო: 1805

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
L6387

L6387

ნაწილი საფონდო: 18458

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი
E-L6385D013TR

E-L6385D013TR

ნაწილი საფონდო: 2401

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 17V (Max), ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

სასურველი