ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR100JZHF82R5

MCR100JZHF82R5

ნაწილი საფონდო: 173016

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TRR10EZPF75R0

TRR10EZPF75R0

ნაწილი საფონდო: 136971

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF19R1

MCR100JZHF19R1

ნაწილი საფონდო: 193416

წინააღმდეგობა: 19.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ8R2

MCR100JZHJ8R2

ნაწილი საფონდო: 110229

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ753

MCR100JZHJ753

ნაწილი საფონდო: 116092

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF1400

MCR100JZHF1400

ნაწილი საფონდო: 148863

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF1651

MCR50JZHF1651

ნაწილი საფონდო: 139303

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF6040

MCR50JZHF6040

ნაწილი საფონდო: 156699

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF46R4

MCR100JZHF46R4

ნაწილი საფონდო: 190051

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF8660

MCR100JZHF8660

ნაწილი საფონდო: 149973

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF2210

MCR50JZHF2210

ნაწილი საფონდო: 9227

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF3012

MCR50JZHF3012

ნაწილი საფონდო: 9305

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF1242

MCR100JZHF1242

ნაწილი საფონდო: 159584

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TRR10EZPF2491

TRR10EZPF2491

ნაწილი საფონდო: 126791

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ430

MCR100JZHJ430

ნაწილი საფონდო: 4084

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF4421

MCR50JZHF4421

ნაწილი საფონდო: 101362

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF45R3

MCR50JZHF45R3

ნაწილი საფონდო: 186164

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF71R5

MCR100JZHF71R5

ნაწილი საფონდო: 1146

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF9760

MCR50JZHF9760

ნაწილი საფონდო: 179503

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18ERTJ2R0

MCR18ERTJ2R0

ნაწილი საფონდო: 129208

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
MCR10ERTFL1R80

MCR10ERTFL1R80

ნაწილი საფონდო: 5092

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10ERTF1402

MCR10ERTF1402

ნაწილი საფონდო: 7313

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPJ475

MCR03EZPJ475

ნაწილი საფონდო: 7410

წინააღმდეგობა: 4.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR01MRTJ270

MCR01MRTJ270

ნაწილი საფონდო: 7500

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPFX82R5

MCR03EZPFX82R5

ნაწილი საფონდო: 185092

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR006YRTJ685

MCR006YRTJ685

ნაწილი საფონდო: 138811

წინააღმდეგობა: 6.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YRTF1001

MCR006YRTF1001

ნაწილი საფონდო: 3785

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10ERTF33R0

MCR10ERTF33R0

ნაწილი საფონდო: 7222

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10ERTF68R0

MCR10ERTF68R0

ნაწილი საფონდო: 182182

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR006YRTJ751

MCR006YRTJ751

ნაწილი საფონდო: 175541

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10ERTF1332

MCR10ERTF1332

ნაწილი საფონდო: 7355

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10ERTJ112

MCR10ERTJ112

ნაწილი საფონდო: 149139

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR03ERTF1200

MCR03ERTF1200

ნაწილი საფონდო: 7651

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF4751

MCR100JZHF4751

ნაწილი საფონდო: 6753

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03ERTF1211

MCR03ERTF1211

ნაწილი საფონდო: 198586

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03ERTF3602

MCR03ERTF3602

ნაწილი საფონდო: 7504

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი