ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR100JZHJ910

MCR100JZHJ910

ნაწილი საფონდო: 291

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF22R1

MCR100JZHF22R1

ნაწილი საფონდო: 1271

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF3480

MCR100JZHF3480

ნაწილი საფონდო: 114017

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ3R6

MCR100JZHJ3R6

ნაწილი საფონდო: 108904

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF13R0

MCR100JZHF13R0

ნაწილი საფონდო: 159872

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF1502

MCR50JZHF1502

ნაწილი საფონდო: 160554

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF24R9

MCR50JZHF24R9

ნაწილი საფონდო: 132221

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TRR10EZPF1502

TRR10EZPF1502

ნაწილი საფონდო: 197924

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF3010

MCR100JZHF3010

ნაწილი საფონდო: 170456

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF7150

MCR50JZHF7150

ნაწილი საფონდო: 171166

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ912

MCR100JZHJ912

ნაწილი საფონდო: 117826

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF1371

MCR50JZHF1371

ნაწილი საფონდო: 105932

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ132

MCR100JZHJ132

ნაწილი საფონდო: 157946

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF2002

MCR50JZHF2002

ნაწილი საფონდო: 3937

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF1690

MCR50JZHF1690

ნაწილი საფონდო: 152977

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF6810

MCR50JZHF6810

ნაწილი საფონდო: 103662

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ620

MCR100JZHJ620

ნაწილი საფონდო: 354

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF1150

MCR100JZHF1150

ნაწილი საფონდო: 107327

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ362

MCR100JZHJ362

ნაწილი საფონდო: 410

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF64R9

MCR50JZHF64R9

ნაწილი საფონდო: 9291

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF5761

MCR50JZHF5761

ნაწილი საფონდო: 9234

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ750

MCR100JZHJ750

ნაწილი საფონდო: 403

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF7500

MCR50JZHF7500

ნაწილი საფონდო: 159416

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TRR10EZPF4421

TRR10EZPF4421

ნაწილი საფონდო: 102446

წინააღმდეგობა: 4.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF2211

MCR50JZHF2211

ნაწილი საფონდო: 9304

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TRR10EZPF10R0

TRR10EZPF10R0

ნაწილი საფონდო: 138358

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ162

MCR100JZHJ162

ნაწილი საფონდო: 391

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ112

MCR100JZHJ112

ნაწილი საფონდო: 162325

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF8450

MCR100JZHF8450

ნაწილი საფონდო: 955

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF1780

MCR50JZHF1780

ნაწილი საფონდო: 179695

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF14R3

MCR50JZHF14R3

ნაწილი საფონდო: 184038

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR50JZHF1243

MCR50JZHF1243

ნაწილი საფონდო: 166691

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ1R1

MCR100JZHJ1R1

ნაწილი საფონდო: 101177

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150/ +850ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF93R1

MCR100JZHF93R1

ნაწილი საფონდო: 4177

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHF6980

MCR100JZHF6980

ნაწილი საფონდო: 967

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR100JZHJ471

MCR100JZHJ471

ნაწილი საფონდო: 164

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი