ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR18EZHF1212

MCR18EZHF1212

ნაწილი საფონდო: 2906

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2430

MCR10EZHF2430

ნაწილი საფონდო: 2341

წინააღმდეგობა: 243 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1211

MCR18EZHF1211

ნაწილი საფონდო: 2927

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1800

MCR10EZHF1800

ნაწილი საფონდო: 2306

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF40R2

MCR10EZHF40R2

ნაწილი საფონდო: 2478

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ132

MCR10EZHJ132

ნაწილი საფონდო: 2692

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ4R7

MCR10EZHJ4R7

ნაწილი საფონდო: 2769

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1070

MCR10EZHF1070

ნაწილი საფონდო: 2155

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4993

MCR10EZHF4993

ნაწილი საფონდო: 2562

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF2401

MCR10EZHF2401

ნაწილი საფონდო: 2364

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1584

MCR10EZHF1584

ნაწილი საფონდო: 2268

წინააღმდეგობა: 1.58 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1694

MCR10EZHF1694

ნაწილი საფონდო: 2308

წინააღმდეგობა: 1.69 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5620

MCR10EZHF5620

ნაწილი საფონდო: 2537

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9533

MCR10EZHF9533

ნაწილი საფონდო: 2726

წინააღმდეგობა: 953 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF41R2

MCR10EZHF41R2

ნაწილი საფონდო: 2512

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9762

MCR10EZHF9762

ნაწილი საფონდო: 2708

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1374

MCR10EZHF1374

ნაწილი საფონდო: 2290

წინააღმდეგობა: 1.37 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF9093

MCR10EZHF9093

ნაწილი საფონდო: 2638

წინააღმდეგობა: 909 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ684

MCR10EZHJ684

ნაწილი საფონდო: 4345

წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHFL1R80

MCR10EZHFL1R80

ნაწილი საფონდო: 2360

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF7681

MCR10EZHF7681

ნაწილი საფონდო: 2675

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ910

MCR10EZHJ910

ნაწილი საფონდო: 2871

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1824

MCR10EZHF1824

ნაწილი საფონდო: 2337

წინააღმდეგობა: 1.82 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF91R0

MCR10EZHF91R0

ნაწილი საფონდო: 2685

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF3923

MCR10EZHF3923

ნაწილი საფონდო: 2458

წინააღმდეგობა: 392 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPJ754

MCR03EZPJ754

ნაწილი საფონდო: 2165

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR03EZPJ9R1

MCR03EZPJ9R1

ნაწილი საფონდო: 2180

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6043

MCR10EZHF6043

ნაწილი საფონდო: 2633

წინააღმდეგობა: 604 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF7153

MCR10EZHF7153

ნაწილი საფონდო: 2658

წინააღმდეგობა: 715 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF28R0

MCR10EZHF28R0

ნაწილი საფონდო: 2418

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF1804

MCR10EZHF1804

ნაწილი საფონდო: 2302

წინააღმდეგობა: 1.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1052

MCR18EZHF1052

ნაწილი საფონდო: 2892

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF5622

MCR10EZHF5622

ნაწილი საფონდო: 2627

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ823

MCR10EZHJ823

ნაწილი საფონდო: 4281

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHJ824

MCR10EZHJ824

ნაწილი საფონდო: 2812

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF6192

MCR10EZHF6192

ნაწილი საფონდო: 2589

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი