Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
US6U37TR
Rohm Semiconductor

US6U37TR

ნაწილი საფონდო: 141036

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

სასურველი
RSS140N03TB
Rohm Semiconductor

RSS140N03TB

ნაწილი საფონდო: 9555

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 14A, 10V,

სასურველი
RSS090N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS090N03FU6TB

ნაწილი საფონდო: 126883

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V,

სასურველი
RQ3C150BCTB
Rohm Semiconductor

RQ3C150BCTB

ნაწილი საფონდო: 159298

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V,

სასურველი
RTQ035N03TR
Rohm Semiconductor

RTQ035N03TR

ნაწილი საფონდო: 141652

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

სასურველი
US5U3TR
Rohm Semiconductor

US5U3TR

ნაწილი საფონდო: 154332

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

სასურველი
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E100BNTB

ნაწილი საფონდო: 160448

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 10A, 10V,

სასურველი
RQ5C060BCTCL
Rohm Semiconductor

RQ5C060BCTCL

ნაწილი საფონდო: 187018

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21.1 mOhm @ 6A, 4.5V,

სასურველი
RSQ045N03TR
Rohm Semiconductor

RSQ045N03TR

ნაწილი საფონდო: 199438

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი
RSR020N06TL
Rohm Semiconductor

RSR020N06TL

ნაწილი საფონდო: 159548

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 10V,

სასურველი
QS5U28TR
Rohm Semiconductor

QS5U28TR

ნაწილი საფონდო: 195752

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2A, 4.5V,

სასურველი
RE1C001ZPTL
Rohm Semiconductor

RE1C001ZPTL

ნაწილი საფონდო: 153902

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.2V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

სასურველი
RK7002AT116
Rohm Semiconductor

RK7002AT116

ნაწილი საფონდო: 9595

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V,

სასურველი
RSR010N10TL
Rohm Semiconductor

RSR010N10TL

ნაწილი საფონდო: 145754

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 1A, 10V,

სასურველი
RSS120N03TB
Rohm Semiconductor

RSS120N03TB

ნაწილი საფონდო: 9507

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

სასურველი
RK7002T116
Rohm Semiconductor

RK7002T116

ნაწილი საფონდო: 9422

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
SCT3080ALGC11
Rohm Semiconductor

SCT3080ALGC11

ნაწილი საფონდო: 6505

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 18V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 10A, 18V,

სასურველი
RSS065N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS065N03FU6TB

ნაწილი საფონდო: 154943

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 10V,

სასურველი
RP1E125XNTR
Rohm Semiconductor

RP1E125XNTR

ნაწილი საფონდო: 9442

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12.5A, 10V,

სასურველი
RP1A090ZPTR
Rohm Semiconductor

RP1A090ZPTR

ნაწილი საფონდო: 9456

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9A, 4.5V,

სასურველი
RSS105N03TB
Rohm Semiconductor

RSS105N03TB

ნაწილი საფონდო: 9168

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V,

სასურველი
RUE003N02TL
Rohm Semiconductor

RUE003N02TL

ნაწილი საფონდო: 148700

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V,

სასურველი
RSQ015P10TR
Rohm Semiconductor

RSQ015P10TR

ნაწილი საფონდო: 195356

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 1.5A, 10V,

სასურველი
RSS090P03TB
Rohm Semiconductor

RSS090P03TB

ნაწილი საფონდო: 8648

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

სასურველი
RZF013P01TL
Rohm Semiconductor

RZF013P01TL

ნაწილი საფონდო: 109541

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

სასურველი
RSD160P05TL
Rohm Semiconductor

RSD160P05TL

ნაწილი საფონდო: 174174

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 45V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V,

სასურველი
SCT3120ALGC11
Rohm Semiconductor

SCT3120ALGC11

ნაწილი საფონდო: 12438

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: SiCFET (Silicon Carbide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 18V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 6.7A, 18V,

სასურველი
RUF020N02TL
Rohm Semiconductor

RUF020N02TL

ნაწილი საფონდო: 151036

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

სასურველი
QS6U24TR
Rohm Semiconductor

QS6U24TR

ნაწილი საფონდო: 104766

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V,

სასურველი
RE1C001UNTCL
Rohm Semiconductor

RE1C001UNTCL

ნაწილი საფონდო: 149920

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.2V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

სასურველი
RV2C002UNT2L
Rohm Semiconductor

RV2C002UNT2L

ნაწილი საფონდო: 194401

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.2V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 150mA, 4.5V,

სასურველი
RD3L140SPTL1
Rohm Semiconductor

RD3L140SPTL1

ნაწილი საფონდო: 21524

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 14A, 10V,

სასურველი
RTF025N03FRATL
Rohm Semiconductor

RTF025N03FRATL

ნაწილი საფონდო: 25884

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

სასურველი
RSC002P03T316
Rohm Semiconductor

RSC002P03T316

ნაწილი საფონდო: 188827

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 250mA, 10V,

სასურველი
RMW280N03TB
Rohm Semiconductor

RMW280N03TB

ნაწილი საფონდო: 5951

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 28A, 10V,

სასურველი
RW1E025RPT2CR
Rohm Semiconductor

RW1E025RPT2CR

ნაწილი საფონდო: 169518

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.5A, 10V,

სასურველი