ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
Vgs (მაქს) | ±20V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 30pF @ 10V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 200mW (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SST3 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |