ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 275mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 205mA,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 17mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 215mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 460mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 255mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 455mA,
ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 18mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 12mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
