ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 205mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ინდუქცია: 4.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 14.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 10.6A,
მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±25%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 22.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 21.4A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 12mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 275mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 155mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
