ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 195mA,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 6mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 135mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 490mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 305mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 520mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 530mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 275mA, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
