Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი
NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

ნაწილი საფონდო: 15225

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 300W,

სასურველი
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

ნაწილი საფონდო: 28668

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

სასურველი
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

ნაწილი საფონდო: 11061

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1300V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 348W,

სასურველი
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

ნაწილი საფონდო: 36618

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 105A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 64W,

სასურველი
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

ნაწილი საფონდო: 2622

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 360V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 44A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, სიმძლავრე - მაქს: 187W,

სასურველი
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

ნაწილი საფონდო: 57552

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 360V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 21A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, სიმძლავრე - მაქს: 150W,

სასურველი
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

ნაწილი საფონდო: 7703

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 535W,

სასურველი
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

ნაწილი საფონდო: 30705

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 30A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 55W,

სასურველი
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

ნაწილი საფონდო: 15222

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 115W,

სასურველი
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

ნაწილი საფონდო: 22404

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 349W,

სასურველი
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

ნაწილი საფონდო: 1603

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 428W,

სასურველი
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

ნაწილი საფონდო: 10243

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 63A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 252A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 208W,

სასურველი
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

ნაწილი საფონდო: 20366

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 385W,

სასურველი
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

ნაწილი საფონდო: 2318

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 333W,

სასურველი
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

ნაწილი საფონდო: 33497

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 430V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 21A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, სიმძლავრე - მაქს: 150W,

სასურველი
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

ნაწილი საფონდო: 12525

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 391W,

სასურველი
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

ნაწილი საფონდო: 56586

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 17A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 40A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, სიმძლავრე - მაქს: 70W,

სასურველი
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

ნაწილი საფონდო: 54229

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 14A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 21A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A, სიმძლავრე - მაქს: 83W,

სასურველი
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

ნაწილი საფონდო: 13856

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 340W,

სასურველი
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

ნაწილი საფონდო: 2590

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 41A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, სიმძლავრე - მაქს: 150W,

სასურველი
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

ნაწილი საფონდო: 15833

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 417W,

სასურველი
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

ნაწილი საფონდო: 17142

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 156W,

სასურველი
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

ნაწილი საფონდო: 24869

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 294W,

სასურველი
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

ნაწილი საფონდო: 11041

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 24A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 96A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 104W,

სასურველი
NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

ნაწილი საფონდო: 14414

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1350V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 394W,

სასურველი
FGP5N60LS
ON Semiconductor

FGP5N60LS

ნაწილი საფონდო: 82176

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 36A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A, სიმძლავრე - მაქს: 83W,

სასურველი
FGY40T120SMD
ON Semiconductor

FGY40T120SMD

ნაწილი საფონდო: 8802

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 882W,

სასურველი
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD13T65F2WP

ნაწილი საფონდო: 44207

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

სასურველი
NGTB25N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

ნაწილი საფონდო: 15023

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 349W,

სასურველი
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD23T120F2SWK

ნაწილი საფონდო: 24513

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

სასურველი
NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

ნაწილი საფონდო: 9261

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 534W,

სასურველი
FGH80N60FDTU
ON Semiconductor

FGH80N60FDTU

ნაწილი საფონდო: 17028

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
NGTB40N65IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRWG

ნაწილი საფონდო: 35282

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 405W,

სასურველი
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

ნაწილი საფონდო: 2954

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 349W,

სასურველი
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

ნაწილი საფონდო: 2540

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 700V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 268W,

სასურველი
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

ნაწილი საფონდო: 11952

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 165A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, სიმძლავრე - მაქს: 390W,

სასურველი