Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი
NGTB50N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

ნაწილი საფონდო: 14687

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 417W,

სასურველი
NGTB50N60FWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FWG

ნაწილი საფონდო: 11089

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 223W,

სასურველი
HGT1S10N120BNST
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

ნაწილი საფონდო: 31860

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 35A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 80A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 298W,

სასურველი
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

ნაწილი საფონდო: 43676

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

სასურველი
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

ნაწილი საფონდო: 13542

IGBT ტიპი: NPT and Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 312W,

სასურველი
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

ნაწილი საფონდო: 7369

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 480W,

სასურველი
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

ნაწილი საფონდო: 12151

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 455W,

სასურველი
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

ნაწილი საფონდო: 20638

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

სასურველი
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM

ნაწილი საფონდო: 144068

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 25A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, სიმძლავრე - მაქს: 40W,

სასურველი
NGTB40N120L3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120L3WG

ნაწილი საფონდო: 12509

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 160A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 454W,

სასურველი
FGH75N60UFTU
ON Semiconductor

FGH75N60UFTU

ნაწილი საფონდო: 10416

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 225A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 452W,

სასურველი
FGH25N120FTDS
ON Semiconductor

FGH25N120FTDS

ნაწილი საფონდო: 9325

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 75A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, სიმძლავრე - მაქს: 313W,

სასურველი
NGTB40N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N135IHRWG

ნაწილი საფონდო: 17791

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1350V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 394W,

სასურველი
FGA15N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU-F109

ნაწილი საფონდო: 402

IGBT ტიპი: NPT and Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 45A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 186W,

სასურველი
NGTD28T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD28T65F2WP

ნაწილი საფონდო: 20854

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

სასურველი
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

ნაწილი საფონდო: 22935

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 180A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 378W,

სასურველი
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

ნაწილი საფონდო: 256

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 41A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, სიმძლავრე - მაქს: 150W,

სასურველი
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

ნაწილი საფონდო: 62700

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 24A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 54W,

სასურველი
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

ნაწილი საფონდო: 37370

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

სასურველი
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

ნაწილი საფონდო: 18097

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 366W,

სასურველი
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

ნაწილი საფონდო: 2512

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 240A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 333W,

სასურველი
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

ნაწილი საფონდო: 18136

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 180A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 306W,

სასურველი
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

ნაწილი საფონდო: 2672

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 100A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 428W,

სასურველი
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

ნაწილი საფონდო: 13786

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1000V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 333W,

სასურველი
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

ნაწილი საფონდო: 26339

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1400V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 272W,

სასურველი
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

ნაწილი საფონდო: 1477

IGBT ტიპი: NPT and Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 312W,

სასურველი
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

ნაწილი საფონდო: 18543

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1350V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 394W,

სასურველი
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

ნაწილი საფონდო: 11394

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1500V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 500W,

სასურველი
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

ნაწილი საფონდო: 16438

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 180A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 298W,

სასურველი
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

ნაწილი საფონდო: 14704

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1350V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 394W,

სასურველი
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

ნაწილი საფონდო: 63148

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 430V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, სიმძლავრე - მაქს: 130W,

სასურველი
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

ნაწილი საფონდო: 2946

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 90A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

ნაწილი საფონდო: 2948

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

ნაწილი საფონდო: 27784

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 54A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 96A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, სიმძლავრე - მაქს: 167W,

სასურველი
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

ნაწილი საფონდო: 18131

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 160A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 536W,

სასურველი
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

ნაწილი საფონდო: 11528

IGBT ტიპი: NPT and Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1000V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 180W,

სასურველი