Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - IGBTs - სინგლი
NGTG30N60FWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FWG

ნაწილი საფონდო: 17306

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 167W,

სასურველი
NGTB05N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB05N60R2DT4G

ნაწილი საფონდო: 169827

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 20A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, სიმძლავრე - მაქს: 56W,

სასურველი
NGTB20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTB20N60L2TF1G

ნაწილი საფონდო: 33843

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 80A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 64W,

სასურველი
NGTB30N60IHLWG
ON Semiconductor

NGTB30N60IHLWG

ნაწილი საფონდო: 22110

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

ნაწილი საფონდო: 6871

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 238W,

სასურველი
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

ნაწილი საფონდო: 104319

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

სასურველი
FGD3N60LSDTM-T
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM-T

ნაწილი საფონდო: 6852

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 25A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, სიმძლავრე - მაქს: 40W,

სასურველი
HGTP20N60A4
ON Semiconductor

HGTP20N60A4

ნაწილი საფონდო: 36974

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 70A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 280A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
SGP10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP10N60RUFDTU

ნაწილი საფონდო: 74706

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 30A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 75W,

სასურველი
NGTB15N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHWG

ნაწილი საფონდო: 6811

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 60A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 278W,

სასურველი
NGP15N41CLG
ON Semiconductor

NGP15N41CLG

ნაწილი საფონდო: 6854

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 440V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 107W,

სასურველი
NGTG15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

ნაწილი საფონდო: 51621

IGBT ტიპი: NPT, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 117W,

სასურველი
NGTB75N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N60FL2WG

ნაწილი საფონდო: 9734

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, სიმძლავრე - მაქს: 595W,

სასურველი
NGB8204NT4
ON Semiconductor

NGB8204NT4

ნაწილი საფონდო: 6877

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 430V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 18A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 115W,

სასურველი
FGA50N60LS
ON Semiconductor

FGA50N60LS

ნაწილი საფონდო: 6865

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 150A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 240W,

სასურველი
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP23N60UFDTU

ნაწილი საფონდო: 74718

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 23A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 92A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, სიმძლავრე - მაქს: 100W,

სასურველი
NGTB30N120LWG
ON Semiconductor

NGTB30N120LWG

ნაწილი საფონდო: 6791

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 240A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 560W,

სასურველი
FGH80N60FD2TU
ON Semiconductor

FGH80N60FD2TU

ნაწილი საფონდო: 15656

IGBT ტიპი: Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 290W,

სასურველი
FGD4536TM_SN00306
ON Semiconductor

FGD4536TM_SN00306

ნაწილი საფონდო: 6801

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 360V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 220A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 125W,

სასურველი
SGL160N60UFDTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFDTU

ნაწილი საფონდო: 8114

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 160A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 300A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor

ISL9V5036P3-F085

ნაწილი საფონდო: 5905

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 390V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 46A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, სიმძლავრე - მაქს: 250W,

სასურველი
NGTB50N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WG

ნაწილი საფონდო: 7494

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 200A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 535W,

სასურველი
FGD4536TM
ON Semiconductor

FGD4536TM

ნაწილი საფონდო: 6793

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 360V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 220A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 125W,

სასურველი
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

ნაწილი საფონდო: 30688

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 140A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 140A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, სიმძლავრე - მაქს: 300W,

სასურველი
NGTB30N60FWG
ON Semiconductor

NGTB30N60FWG

ნაწილი საფონდო: 5739

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, სიმძლავრე - მაქს: 167W,

სასურველი
NGB8202NT4G
ON Semiconductor

NGB8202NT4G

ნაწილი საფონდო: 6729

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 440V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 150W,

სასურველი
FGA70N30TDTU
ON Semiconductor

FGA70N30TDTU

ნაწილი საფონდო: 6666

IGBT ტიპი: Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 160A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 201W,

სასურველი
FGD2N40L
ON Semiconductor

FGD2N40L

ნაწილი საფონდო: 6663

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 29A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.6V @ 2.4V, 2.5A, სიმძლავრე - მაქს: 29W,

სასურველი
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

ნაწილი საფონდო: 5739

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 375V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A, სიმძლავრე - მაქს: 150W,

სასურველი
HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

ნაწილი საფონდო: 5662

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 27A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 110A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, სიმძლავრე - მაქს: 104W,

სასურველი
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

ნაწილი საფონდო: 6608

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 430V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 50A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, სიმძლავრე - მაქს: 115W,

სასურველი
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

ნაწილი საფონდო: 6602

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 34A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 56A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, სიმძლავრე - მაქს: 125W,

სასურველი
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

ნაწილი საფონდო: 6629

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1500V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, სიმძლავრე - მაქს: 200W,

სასურველი
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

ნაწილი საფონდო: 6576

ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2.4A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 10A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, სიმძლავრე - მაქს: 25W,

სასურველი
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

ნაწილი საფონდო: 144045

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 12.5A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, სიმძლავრე - მაქს: 69W,

სასურველი
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

ნაწილი საფონდო: 21621

IGBT ტიპი: NPT and Trench, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1000V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60A, მიმდინარე - კოლექტორი იმპულსური (Icm): 120A, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, სიმძლავრე - მაქს: 180W,

სასურველი