ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

EBWA-NR0030FET

EBWA-NR0030FET

ნაწილი საფონდო: 102564

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EBWA-NR0020FET

EBWA-NR0020FET

ნაწილი საფონდო: 102581

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVK24R010DER

LVK24R010DER

ნაწილი საფონდო: 108330

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK24R030DER

LVK24R030DER

ნაწილი საფონდო: 108383

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK24R039DER

LVK24R039DER

ნაწილი საფონდო: 108416

წინააღმდეგობა: 39 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK24R020DER

LVK24R020DER

ნაწილი საფონდო: 108359

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK24R015DER

LVK24R015DER

ნაწილი საფონდო: 108337

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK24R033DER

LVK24R033DER

ნაწილი საფონდო: 108359

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK24R025DER

LVK24R025DER

ნაწილი საფონდო: 108379

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVT06R0020HER

LVT06R0020HER

ნაწილი საფონდო: 16534

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R005FER

FCSL90R005FER

ნაწილი საფონდო: 110533

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R015FER

FCSL90R015FER

ნაწილი საფონდო: 110492

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R020FER

FCSL90R020FER

ნაწილი საფონდო: 110458

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R050FER

FCSL90R050FER

ნაწილი საფონდო: 110511

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R010FER

FCSL90R010FER

ნაწილი საფონდო: 110510

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R002GER

FCSL90R002GER

ნაწილი საფონდო: 110546

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R030FER

FCSL90R030FER

ნაწილი საფონდო: 110466

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R025FER

FCSL90R025FER

ნაწილი საფონდო: 110461

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL90R001JER

FCSL90R001JER

ნაწილი საფონდო: 110500

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
LVK24R050DER

LVK24R050DER

ნაწილი საფონდო: 108368

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB10R0FET

RW0S6BB10R0FET

ნაწილი საფონდო: 122513

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB5R00FET

RW0S6BB5R00FET

ნაწილი საფონდო: 122505

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR050FET

RW0S6BBR050FET

ნაწილი საფონდო: 122467

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB100RFET

RW0S6BB100RFET

ნაწილი საფონდო: 122508

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB7R50FET

RW0S6BB7R50FET

ნაწილი საფონდო: 122496

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB24R0FET

RW0S6BB24R0FET

ნაწილი საფონდო: 122543

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB1R00FET

RW0S6BB1R00FET

ნაწილი საფონდო: 122519

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR010FET

RW0S6BBR010FET

ნაწილი საფონდო: 122542

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR020FET

RW0S6BBR020FET

ნაწილი საფონდო: 122474

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR030FET

RW0S6BBR030FET

ნაწილი საფონდო: 122497

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR240FET

RW0S6BBR240FET

ნაწილი საფონდო: 122464

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB2R00FET

RW0S6BB2R00FET

ნაწილი საფონდო: 122499

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR100FET

RW0S6BBR100FET

ნაწილი საფონდო: 122517

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB47R0FET

RW0S6BB47R0FET

ნაწილი საფონდო: 122527

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR015FET

RW0S6BBR015FET

ნაწილი საფონდო: 122505

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB36R0FET

RW0S6BB36R0FET

ნაწილი საფონდო: 122546

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი