ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TKH45P2R00FE-TR

TKH45P2R00FE-TR

ნაწილი საფონდო: 196

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P200RFE-TR

TKH45P200RFE-TR

ნაწილი საფონდო: 2718

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P1R50FE-TR

TKH45P1R50FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2653

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P2K50FE-TR

TKH45P2K50FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2655

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P1R00FE-TR

TKH45P1R00FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2694

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P500RFE-TR

TKH45P500RFE-TR

ნაწილი საფონდო: 2709

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P300RFE-TR

TKH45P300RFE-TR

ნაწილი საფონდო: 2709

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P5R00FE-TR

TKH45P5R00FE-TR

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P1K00FE-TR

TKH45P1K00FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2748

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P5K00FE-TR

TKH45P5K00FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2680

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P7R50FE-TR

TKH45P7R50FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2693

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P100RFE-TR

TKH45P100RFE-TR

ნაწილი საფონდო: 211

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P20R0FE-TR

TKH45P20R0FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2714

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TKH45P47R0FE-TR

TKH45P47R0FE-TR

ნაწილი საფონდო: 2682

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 45W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0402T5004JET

HVC0402T5004JET

ნაწილი საფონდო: 67307

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0402T1004JET

HVC0402T1004JET

ნაწილი საფონდო: 67313

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T5005FET

HVC0603T5005FET

ნაწილი საფონდო: 68304

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T1006FET

HVC0603T1006FET

ნაწილი საფონდო: 68377

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0402T2504JET

HVC0402T2504JET

ნაწილი საფონდო: 67327

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0402T1005JET

HVC0402T1005JET

ნაწილი საფონდო: 67316

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T2505FET

HVC0603T2505FET

ნაწილი საფონდო: 67249

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R020FER

FCSL110R020FER

ნაწილი საფონდო: 74168

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T1005JET

HVC0805T1005JET

ნაწილი საფონდო: 67322

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVK25R003DER

LVK25R003DER

ნაწილი საფონდო: 74160

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
LVK25R010DER

LVK25R010DER

ნაწილი საფონდო: 74120

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R025FER

FCSL110R025FER

ნაწილი საფონდო: 74161

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R001JER

FCSL110R001JER

ნაწილი საფონდო: 74191

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R005FER

FCSL110R005FER

ნაწილი საფონდო: 74201

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R010FER

FCSL110R010FER

ნაწილი საფონდო: 74198

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T2505JET

HVC0805T2505JET

ნაწილი საფონდო: 67270

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R002GER

FCSL110R002GER

ნაწილი საფონდო: 74195

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R030FER

FCSL110R030FER

ნაწილი საფონდო: 74140

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK25R002DER

LVK25R002DER

ნაწილი საფონდო: 74128

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T1006JET

HVC0805T1006JET

ნაწილი საფონდო: 67339

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R015FER

FCSL110R015FER

ნაწილი საფონდო: 74152

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVK25R001DER

LVK25R001DER

ნაწილი საფონდო: 74172

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი