ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RW0S6BB100RFE

RW0S6BB100RFE

ნაწილი საფონდო: 50589

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR750FE

RW0S6BBR750FE

ნაწილი საფონდო: 50561

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA4R70KET

RC1R0EA4R70KET

ნაწილი საფონდო: 50243

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA8R20KET

RC1R0EA8R20KET

ნაწილი საფონდო: 50274

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR020FE

RW0S6BBR020FE

ნაწილი საფონდო: 50558

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR050FET

RW2R0DAR050FET

ნაწილი საფონდო: 51752

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC1R0EA33R0KET

RC1R0EA33R0KET

ნაწილი საფონდო: 50286

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB7R50FE

RW0S6BB7R50FE

ნაწილი საფონდო: 50593

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB2R00FE

RW0S6BB2R00FE

ნაწილი საფონდო: 50588

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA100RKET

RC1R0EA100RKET

ნაწილი საფონდო: 50306

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR015JET

RW3R0DBR015JET

ნაწილი საფონდო: 51358

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2S0DAR500JET

RW2S0DAR500JET

ნაწილი საფონდო: 48718

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB15R0FE

RW0S6BB15R0FE

ნაწილი საფონდო: 50634

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR150JET

RW2S0DAR150JET

ნაწილი საფონდო: 48704

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW2S0DAR020FET

RW2S0DAR020FET

ნაწილი საფონდო: 51826

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RC1R0EA15R0KET

RC1R0EA15R0KET

ნაწილი საფონდო: 50248

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RC1R0EA3R30KET

RC1R0EA3R30KET

ნაწილი საფონდო: 50254

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Carbon Composition, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -1300ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BBR030FE

RW0S6BBR030FE

ნაწილი საფონდო: 50552

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW0S6BB47R0FE

RW0S6BB47R0FE

ნაწილი საფონდო: 50553

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW3R0DBR036JET

RW3R0DBR036JET

ნაწილი საფონდო: 51337

წინააღმდეგობა: 36 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC0402T1006JET

HVC0402T1006JET

ნაწილი საფონდო: 52247

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR033JET

RW1S0BAR033JET

ნაწილი საფონდო: 54764

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR024JET

RW1S0BAR024JET

ნაწილი საფონდო: 54801

წინააღმდეგობა: 24 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR025JET

RW2R0DAR025JET

ნაწილი საფონდო: 57490

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR020JET

RW2R0DAR020JET

ნაწილი საფონდო: 57493

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR010JET

RW1S0BAR010JET

ნაწილი საფონდო: 54807

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR010JET

RW2R0DAR010JET

ნაწილი საფონდო: 57524

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR030JET

RW1S0BAR030JET

ნაწილი საფონდო: 54847

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR015JET

RW2R0DAR015JET

ნაწილი საფონდო: 57536

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR030JET

RW2R0DAR030JET

ნაწილი საფონდო: 57483

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC0402T5005JET

HVC0402T5005JET

ნაწილი საფონდო: 52238

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW1S0BAR025JET

RW1S0BAR025JET

ნაწილი საფონდო: 54768

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW1S0BAR027JET

RW1S0BAR027JET

ნაწილი საფონდო: 54820

წინააღმდეგობა: 27 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
RW2R0DAR005JET

RW2R0DAR005JET

ნაწილი საფონდო: 57506

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი
HVC0402T2505JET

HVC0402T2505JET

ნაწილი საფონდო: 52241

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW2R0DAR050JET

RW2R0DAR050JET

ნაწილი საფონდო: 57530

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Current Sense,

სასურველი