ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

LVC25FR010EV

LVC25FR010EV

ნაწილი საფონდო: 81530

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
LVC25JR051EV

LVC25JR051EV

ნაწილი საფონდო: 87167

წინააღმდეგობა: 51 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR068EV

LVC25FR068EV

ნაწილი საფონდო: 85677

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVK25R005FER

LVK25R005FER

ნაწილი საფონდო: 90935

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVC25JR050EV

LVC25JR050EV

ნაწილი საფონდო: 87151

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T2504JET

HVC0805T2504JET

ნაწილი საფონდო: 83786

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVC25JR033EV

LVC25JR033EV

ნაწილი საფონდო: 82853

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
LVK25R002FER

LVK25R002FER

ნაწილი საფონდო: 90949

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR050EV

LVC25FR050EV

ნაწილი საფონდო: 85693

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T1004JET

HVC0805T1004JET

ნაწილი საფონდო: 83760

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVC25JR075EV

LVC25JR075EV

ნაწილი საფონდო: 87158

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVK25R003FER

LVK25R003FER

ნაწილი საფონდო: 90933

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
LVC25JR025EV

LVC25JR025EV

ნაწილი საფონდო: 82866

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR047EV

LVC25FR047EV

ნაწილი საფონდო: 81514

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
EBWB-NR0030FET

EBWB-NR0030FET

ნაწილი საფონდო: 92668

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR025EV

LVC25FR025EV

ნაწილი საფონდო: 81472

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
FC4TR015DER

FC4TR015DER

ნაწილი საფონდო: 16549

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
LVK25R010FER

LVK25R010FER

ნაწილი საფონდო: 34758

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EBWA-MR0005FET

EBWA-MR0005FET

ნაწილი საფონდო: 91249

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
EBWA-MR0010FET

EBWA-MR0010FET

ნაწილი საფონდო: 91193

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±60ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR015EV

LVC25FR015EV

ნაწილი საფონდო: 81512

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
LVC25JR020EV

LVC25JR020EV

ნაწილი საფონდო: 82888

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R050FER

FC4L64R050FER

ნაწილი საფონდო: 100619

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R020FER

FC4L64R020FER

ნაწილი საფონდო: 100608

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R005FER

FC4L64R005FER

ნაწილი საფონდო: 100632

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R001JER

FC4L64R001JER

ნაწილი საფონდო: 100596

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R010FER

FC4L64R010FER

ნაწილი საფონდო: 100672

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC1206T5004JET

HVC1206T5004JET

ნაწილი საფონდო: 90470

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R002GER

FC4L64R002GER

ნაწილი საფონდო: 100677

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R015FER

FC4L64R015FER

ნაწილი საფონდო: 100681

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVT04R0030GER

LVT04R0030GER

ნაწილი საფონდო: 145

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HVC1206T1004JET

HVC1206T1004JET

ნაწილი საფონდო: 90449

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R003FER

FC4L64R003FER

ნაწილი საფონდო: 90216

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R030FER

FC4L64R030FER

ნაწილი საფონდო: 100680

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R025FER

FC4L64R025FER

ნაწილი საფონდო: 100663

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
EBWA-NR0040FET

EBWA-NR0040FET

ნაწილი საფონდო: 102656

წინააღმდეგობა: 4 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი