ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

LVK25R005DER

LVK25R005DER

ნაწილი საფონდო: 74186

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T5005JET

HVC0805T5005JET

ნაწილი საფონდო: 67292

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCSL110R050FER

FCSL110R050FER

ნაწილი საფონდო: 74215

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC1206T1005JET

HVC1206T1005JET

ნაწილი საფონდო: 75253

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVK12R033DER

LVK12R033DER

ნაწილი საფონდო: 169158

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
EBWB-MR0002FET

EBWB-MR0002FET

ნაწილი საფონდო: 83326

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC1206T5005JET

HVC1206T5005JET

ნაწილი საფონდო: 75285

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R010DER

FC4L64R010DER

ნაწილი საფონდო: 80554

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC1206Z2505JET

HVC1206Z2505JET

ნაწილი საფონდო: 75300

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
EBWB-MR0005FET

EBWB-MR0005FET

ნაწილი საფონდო: 83247

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 6W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R050DER

FC4L64R050DER

ნაწილი საფონდო: 80529

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
EBWB-NR0010FET

EBWB-NR0010FET

ნაწილი საფონდო: 83302

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 6W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R020DER

FC4L64R020DER

ნაწილი საფონდო: 80500

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC1206Z2504JET

HVC1206Z2504JET

ნაწილი საფონდო: 75292

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R015DER

FC4L64R015DER

ნაწილი საფონდო: 80477

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC1206T1006JET

HVC1206T1006JET

ნაწილი საფონდო: 75233

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FC4L64R030DER

FC4L64R030DER

ნაწილი საფონდო: 80542

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T1005FET

HVC0603T1005FET

ნაწილი საფონდო: 83783

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA47R0JET

RW5S0FA47R0JET

ნაწილი საფონდო: 81382

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA10K0JET

RW5S0FA10K0JET

ნაწილი საფონდო: 81386

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T2504FET

HVC0603T2504FET

ნაწილი საფონდო: 83783

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA100RJET

RW5S0FA100RJET

ნაწილი საფონდო: 81408

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA1K00JET

RW5S0FA1K00JET

ნაწილი საფონდო: 81396

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA20R0JET

RW5S0FA20R0JET

ნაწილი საფონდო: 81426

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA47R0JE

RW5S0FA47R0JE

ნაწილი საფონდო: 81416

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA1R00FET

RW5S0FA1R00FET

ნაწილი საფონდო: 81383

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T1004FET

HVC0603T1004FET

ნაწილი საფონდო: 83740

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC0603T5004FET

HVC0603T5004FET

ნაწილი საფონდო: 83752

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA10R0JET

RW5S0FA10R0JET

ნაწილი საფონდო: 81404

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FAR100FET

RW5S0FAR100FET

ნაწილი საფონდო: 81448

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
RW5S0FA4K70JET

RW5S0FA4K70JET

ნაწილი საფონდო: 81453

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
LVK25R001FER

LVK25R001FER

ნაწილი საფონდო: 90945

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
EBWB-NR0020FET

EBWB-NR0020FET

ნაწილი საფონდო: 92637

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR075EV

LVC25FR075EV

ნაწილი საფონდო: 85613

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVC25FR033EV

LVC25FR033EV

ნაწილი საფონდო: 81488

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVC0805T5004JET

HVC0805T5004JET

ნაწილი საფონდო: 83820

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი