კერამიკული კონდენსატორები

GRM1556R1HR80BD01D

GRM1556R1HR80BD01D

ნაწილი საფონდო: 460

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R71E103KE14E

GRM033R71E103KE14E

ნაწილი საფონდო: 2695

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71H221JA01D

GRM188R71H221JA01D

ნაწილი საფონდო: 165743

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556R1HR50BD01D

GRM1556R1HR50BD01D

ნაწილი საფონდო: 7034

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH220JA3B

DEF1XLH220JA3B

ნაწილი საფონდო: 135611

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM033R71A332KA01E

GRM033R71A332KA01E

ნაწილი საფონდო: 8974

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R61A332KA01E

GRM033R61A332KA01E

ნაწილი საფონდო: 7476

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
DEF1XLH180JN3A

DEF1XLH180JN3A

ნაწილი საფონდო: 161439

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R71C334KA01J

GRM188R71C334KA01J

ნაწილი საფონდო: 187722

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H130GZ01D

GRM1556S1H130GZ01D

ნაწილი საფონდო: 9894

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E8R5CD01D

GRM0336T1E8R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 1046

ტევადობა: 8.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2165C1H220GZ01D

GRM2165C1H220GZ01D

ნაწილი საფონდო: 7266

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33D271KP3A

DEHR33D271KP3A

ნაწილი საფონდო: 176126

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
DEHR33D221KD3B

DEHR33D221KD3B

ნაწილი საფონდო: 193789

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1556R1H9R7CZ01D

GRM1556R1H9R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 693

ტევადობა: 9.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH120JN3A

DEF1XLH120JN3A

ნაწილი საფონდო: 137405

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1885C2A5R5CA01D

GRM1885C2A5R5CA01D

ნაწილი საფონდო: 128059

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEC1X3J270JA3B

DEC1X3J270JA3B

ნაწილი საფონდო: 112756

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DEHR33D272KB3B

DEHR33D272KB3B

ნაწილი საფონდო: 181234

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM188C81A225ME34D

GRM188C81A225ME34D

ნაწილი საფონდო: 193801

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM2165C1H120JZ01D

GRM2165C1H120JZ01D

ნაწილი საფონდო: 733

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H5R5DZ01D

GRM1886R1H5R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 5830

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166R1H620JZ01D

GRM2166R1H620JZ01D

ნაწილი საფონდო: 7797

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H5R8DZ01D

GRM1556S1H5R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4267

ტევადობა: 5.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33D221KP3A

DEHR33D221KP3A

ნაწილი საფონდო: 144964

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886P1H1R3CZ01D

GRM1886P1H1R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8824

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A9R4DZ01D

GRM1885C2A9R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1720

ტევადობა: 9.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E120JD01J

GRM0335C1E120JD01J

ნაწილი საფონდო: 7218

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556R1H9R9CZ01D

GRM1556R1H9R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5374

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H5R7DZ01D

GRM1556S1H5R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4919

ტევადობა: 5.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A7R2CA01D

GRM1885C2A7R2CA01D

ნაწილი საფონდო: 146465

ტევადობა: 7.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEC1X3J220JC4B

DEC1X3J220JC4B

ნაწილი საფონდო: 116315

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRJ216R71H223KE01D

GRJ216R71H223KE01D

ნაწილი საფონდო: 142112

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
GRM1885C1H8R2CZ01J

GRM1885C1H8R2CZ01J

ნაწილი საფონდო: 81

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C1H270GB01D

GQM2195C1H270GB01D

ნაწილი საფონდო: 187925

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM1556S1H110JZ01D

GRM1556S1H110JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5489

ტევადობა: 11pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი