კერამიკული კონდენსატორები

GRM1885C1H2R1CA01D

GRM1885C1H2R1CA01D

ნაწილი საფონდო: 170350

ტევადობა: 2.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A6R3CA01D

GRM1885C2A6R3CA01D

ნაწილი საფონდო: 105001

ტევადობა: 6.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E620JD01D

GRM0335C1E620JD01D

ნაწილი საფონდო: 5864

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHR4E4A102K2BB

DHR4E4A102K2BB

ნაწილი საფონდო: 55918

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10000V (10kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: ZM, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 100°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R71H822JA01D

GRM188R71H822JA01D

ნაწილი საფონდო: 151289

ტევადობა: 8200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2167U1H431JZ01D

GRM2167U1H431JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5464

ტევადობა: 430pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R61A225KE24J

GRM216R61A225KE24J

ნაწილი საფონდო: 168306

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1886S1H2R9CZ01D

GRM1886S1H2R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4122

ტევადობა: 2.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1H1R0WA01J

GRM1555C1H1R0WA01J

ნაწილი საფონდო: 119643

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A9R7DZ01D

GRM1885C2A9R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8034

ტევადობა: 9.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H2R1CZ01D

GRM1886S1H2R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2707

ტევადობა: 2.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E8R9CD01D

GRM0336T1E8R9CD01D

ნაწილი საფონდო: 2997

ტევადობა: 8.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM152R60J224ME19D

GRM152R60J224ME19D

ნაწილი საფონდო: 188635

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556S1H6R0DZ01D

GRM1556S1H6R0DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7295

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H1R5BA01J

GRM1885C1H1R5BA01J

ნაწილი საფონდო: 194922

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219C8YA105KA73D

GRM219C8YA105KA73D

ნაწილი საფონდო: 3080

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM1885C2A820GA01D

GRM1885C2A820GA01D

ნაწილი საფონდო: 184438

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H5R9DZ01D

GRM1886R1H5R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6140

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R61A225ME24J

GRM216R61A225ME24J

ნაწილი საფონდო: 150949

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM21BC81A106KE18K

GRM21BC81A106KE18K

ნაწილი საფონდო: 195848

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM216R71H222JA01D

GRM216R71H222JA01D

ნაწილი საფონდო: 174582

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2195C1H102JA01J

GRM2195C1H102JA01J

ნაწილი საფონდო: 8912

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E9R5DDAEL

GRM0225C1E9R5DDAEL

ნაწილი საფონდო: 146108

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155R71E622MA01D

GRM155R71E622MA01D

ნაწილი საფონდო: 2952

ტევადობა: 6200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R71C104MA01J

GRM219R71C104MA01J

ნაწილი საფონდო: 197913

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885C1H5R4DA16D

GCM1885C1H5R4DA16D

ნაწილი საფონდო: 106792

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H1R2CA01J

GRM1885C1H1R2CA01J

ნაწილი საფონდო: 125835

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H2R2CZ01D

GRM1886S1H2R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 174

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH150JN3A

DEF1XLH150JN3A

ნაწილი საფონდო: 190340

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1886P1H2R0CZ01D

GRM1886P1H2R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6372

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BC81H475KE11K

GRM21BC81H475KE11K

ნაწილი საფონდო: 105307

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
DEHR33D391KB3B

DEHR33D391KB3B

ნაწილი საფონდო: 181474

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM21BR71H104MA01K

GRM21BR71H104MA01K

ნაწილი საფონდო: 151091

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A681GA01J

GRM1885C2A681GA01J

ნაწილი საფონდო: 135179

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E8R8CD01D

GRM0336T1E8R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 2261

ტევადობა: 8.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71E333JA01D

GRM188R71E333JA01D

ნაწილი საფონდო: 111675

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი