კერამიკული კონდენსატორები

GRM219R71H334JA88D

GRM219R71H334JA88D

ნაწილი საფონდო: 7922

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H4R1CD01D

GRM0337U1H4R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 4969

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E9R1DD01D

GRM0336T1E9R1DD01D

ნაწილი საფონდო: 1386

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31MR72A563KA01L

GRM31MR72A563KA01L

ნაწილი საფონდო: 161950

ტევადობა: 0.056µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A6R7CA01D

GRM1885C2A6R7CA01D

ნაწილი საფონდო: 158667

ტევადობა: 6.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2167U1H621JZ01D

GRM2167U1H621JZ01D

ნაწილი საფონდო: 8980

ტევადობა: 620pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR71A106ME51K

GRM21BR71A106ME51K

ნაწილი საფონდო: 198446

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A820GA01J

GRM1885C2A820GA01J

ნაწილი საფონდო: 117479

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H1R2BA01J

GRM1885C1H1R2BA01J

ნაწილი საფონდო: 181924

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H2R8CZ01D

GRM1886S1H2R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1930

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33D681KB3B

DEHR33D681KB3B

ნაწილი საფონდო: 106429

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM2167U1H390JZ01D

GRM2167U1H390JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9472

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H330JZ01D

GRM1886S1H330JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9341

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H6R3DZ01D

GRM1556S1H6R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 5218

ტევადობა: 6.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R61E102KA01E

GRM033R61E102KA01E

ნაწილი საფონდო: 3849

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1887U2A9R2DZ01D

GRM1887U2A9R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 838

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H6R2CZ01J

GRM1885C1H6R2CZ01J

ნაწილი საფონდო: 8414

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A6R5CA01D

GRM1885C2A6R5CA01D

ნაწილი საფონდო: 121885

ტევადობა: 6.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H6R3CZ01D

GRM1556S1H6R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4879

ტევადობა: 6.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166R1H680JZ01D

GRM2166R1H680JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4509

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H2R6CD01D

GRM0337U1H2R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 3947

ტევადობა: 2.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155R71H432JA01D

GRM155R71H432JA01D

ნაწილი საფონდო: 7344

ტევადობა: 4300pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556R1H9R9DZ01D

GRM1556R1H9R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8492

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R71E471KA01E

GRM033R71E471KA01E

ნაწილი საფონდო: 570

ტევადობა: 470pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH220JJ3B

DEF1XLH220JJ3B

ნაწილი საფონდო: 123777

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1556S1H6R1DZ01D

GRM1556S1H6R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1698

ტევადობა: 6.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR61A106ME19K

GRM21BR61A106ME19K

ნაწილი საფონდო: 114791

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GCM1885C1H3R9CA16J

GCM1885C1H3R9CA16J

ნაწილი საფონდო: 140278

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H5R9CZ01D

GRM1556S1H5R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7721

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM21BR72A683KAC4L

GRM21BR72A683KAC4L

ნაწილი საფონდო: 125610

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBE33D103ZN7A

DEBE33D103ZN7A

ნაწილი საფონდო: 189433

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1886R1H6R3DZ01D

GRM1886R1H6R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 9463

ტევადობა: 6.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U2A8R4DZ01D

GRM1887U2A8R4DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6001

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM319C81C475KA12D

GRM319C81C475KA12D

ნაწილი საფონდო: 185367

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM1885C2A5R2CA01D

GRM1885C2A5R2CA01D

ნაწილი საფონდო: 160892

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166S1H121JZ01D

GRM2166S1H121JZ01D

ნაწილი საფონდო: 8513

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი