კერამიკული კონდენსატორები

GRM1556T1H9R4DD01D

GRM1556T1H9R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 9321

ტევადობა: 9.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H510J2P1Z03B

RPE5C1H510J2P1Z03B

ნაწილი საფონდო: 5096

ტევადობა: 51pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A130JZ01D

GRM2196S2A130JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4492

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R4BDAEL

GRM0225C1E3R4BDAEL

ნაწილი საფონდო: 114609

ტევადობა: 3.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R9CD01J

GRM0335C1H3R9CD01J

ნაწილი საფონდო: 7798

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H162JA01D

GRM1887U1H162JA01D

ნაწილი საფონდო: 164164

ტევადობა: 1600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DE1E3KX472MN5AA01

DE1E3KX472MN5AA01

ნაწილი საფონდო: 6237

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E5R1CZ01D

GRM1555C1E5R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9145

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H472J2K1A03B

RPE5C1H472J2K1A03B

ნაწილი საფონდო: 3289

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R6CDAEL

GRM0225C1E3R6CDAEL

ნაწილი საფონდო: 109429

ტევადობა: 3.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196R2A8R5DD01D

GRM2196R2A8R5DD01D

ნაწილი საფონდო: 893

ტევადობა: 8.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R8BD01D

GRM0335C1H3R8BD01D

ნაწილი საფონდო: 2719

ტევადობა: 3.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A2R8CD01D

GRM2196S2A2R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 9061

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H3R3C2P1B03B

RPE5C1H3R3C2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 8839

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885C1H511JA16D

GCM1885C1H511JA16D

ნაწილი საფონდო: 173103

ტევადობა: 510pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E5R2CZ01D

GRM1555C1E5R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7703

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885C1H431JA16D

GCM1885C1H431JA16D

ნაწილი საფონდო: 131151

ტევადობა: 430pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H8R3DD01D

GRM1556T1H8R3DD01D

ნაწილი საფონდო: 226

ტევადობა: 8.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71H123JA01D

GRM188R71H123JA01D

ნაწილი საფონდო: 105900

ტევადობა: 0.012µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R0CD01J

GRM0335C1H3R0CD01J

ნაწილი საფონდო: 7617

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHEL82A102K1A2A03B

RHEL82A102K1A2A03B

ნაწილი საფონდო: 172939

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM216F51H224ZA01D

GRM216F51H224ZA01D

ნაწილი საფონდო: 9423

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F), ოპერაციული ტემპერატურა: -30°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM155R71H102MA01D

GRM155R71H102MA01D

ნაწილი საფონდო: 150591

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885G1H821JA16D

GCM1885G1H821JA16D

ნაწილი საფონდო: 189792

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8G, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM1887U1H201JZ01D

GRM1887U1H201JZ01D

ნაწილი საფონდო: 308

ტევადობა: 200pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E4R0CZ01D

GRM1555C1E4R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6558

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHEL81H333K1A2A03B

RHEL81H333K1A2A03B

ნაწილი საფონდო: 156827

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM2196R2A9R0DD01D

GRM2196R2A9R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 4978

ტევადობა: 9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHEL82A102K1DBA03A

RHEL82A102K1DBA03A

ნაწილი საფონდო: 142736

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GCM2165C1H121JA16D

GCM2165C1H121JA16D

ნაწილი საფონდო: 197047

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H8R6DD01D

GRM1556T1H8R6DD01D

ნაწილი საფონდო: 5175

ტევადობა: 8.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R7BDAEL

GRM0225C1E3R7BDAEL

ნაწილი საფონდო: 189295

ტევადობა: 3.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DE2B3KH221KN3A

DE2B3KH221KN3A

ნაწილი საფონდო: 4945

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM2196S2A200JZ01D

GRM2196S2A200JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6945

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHEL82A223K1A2A03B

RHEL82A223K1A2A03B

ნაწილი საფონდო: 103070

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM1555C1H4R1WA01D

GRM1555C1H4R1WA01D

ნაწილი საფონდო: 162472

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი