კერამიკული კონდენსატორები

GRM1555C1H7R8BA01D

GRM1555C1H7R8BA01D

ნაწილი საფონდო: 162048

ტევადობა: 7.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R7BD01D

GRM0335C1H3R7BD01D

ნაწილი საფონდო: 10024

ტევადობა: 3.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R9WDAEL

GRM0225C1E3R9WDAEL

ნაწილი საფონდო: 129401

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196R2A9R4DD01D

GRM2196R2A9R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 7924

ტევადობა: 9.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R1CD01D

GRM0335C1H3R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 1120

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196R2A8R9DD01D

GRM2196R2A8R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 7583

ტევადობა: 8.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E4R7CZ01D

GRM1555C1E4R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 3105

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R0BDAEL

GRM0225C1E4R0BDAEL

ნაწილი საფონდო: 166492

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1H6R9BA01D

GRM1555C1H6R9BA01D

ნაწილი საფონდო: 173691

ტევადობა: 6.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R4BD01D

GRM0335C1H3R4BD01D

ნაწილი საფონდო: 1858

ტევადობა: 3.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1HR60CD01D

GRM1886T1HR60CD01D

ნაწილი საფონდო: 5095

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H3R0C2P1B03B

RPE5C1H3R0C2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 2091

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E4R4BZ01D

GRM1555C1E4R4BZ01D

ნაწილი საფონდო: 7797

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHEL81H683K1DBA03A

RHEL81H683K1DBA03A

ნაწილი საფონდო: 151920

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM2196S2A300JZ01D

GRM2196S2A300JZ01D

ნაწილი საფონდო: 523

ტევადობა: 30pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H562J2K1A03B

RPE5C1H562J2K1A03B

ნაწილი საფონდო: 1364

ტევადობა: 5600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885C1H621JA16D

GCM1885C1H621JA16D

ნაწილი საფონდო: 116493

ტევადობა: 620pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885G1H151JA16D

GCM1885G1H151JA16D

ნაწილი საფონდო: 113401

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8G, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM2196S2A330JZ01D

GRM2196S2A330JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5015

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H161JZ01D

GRM1887U1H161JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5350

ტევადობა: 160pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R1BDAEL

GRM0225C1E4R1BDAEL

ნაწილი საფონდო: 107830

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H470JD01J

GRM0335C1H470JD01J

ნაწილი საფონდო: 9286

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H200JZ01D

GRM1887U1H200JZ01D

ნაწილი საფონდო: 8249

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHEL82A682K1A2A03B

RHEL82A682K1A2A03B

ნაწილი საფონდო: 121756

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM0335C1H2R6BD01D

GRM0335C1H2R6BD01D

ნაწილი საფონდო: 1918

ტევადობა: 2.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DE2E3KH472MN3A

DE2E3KH472MN3A

ნაწილი საფონდო: 9188

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM155C80G224KE01D

GRM155C80G224KE01D

ნაწილი საფონდო: 177772

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 4V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM2196R2AR60CD01D

GRM2196R2AR60CD01D

ნაწილი საფონდო: 2421

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM188R71E153KA37D

GCM188R71E153KA37D

ნაწილი საფონდო: 180854

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H5R6C2P1B03B

RPE5C1H5R6C2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 3145

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R6WDAEL

GRM0225C1E3R6WDAEL

ნაწილი საფონდო: 125316

ტევადობა: 3.6pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E4R6BZ01D

GRM1555C1E4R6BZ01D

ნაწილი საფონდო: 5526

ტევადობა: 4.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R61A225ME47E

GRM033R61A225ME47E

ნაწილი საფონდო: 2320

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1555C1E4R2CZ01D

GRM1555C1E4R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8501

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H151JZ01D

GRM1887U1H151JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1867

ტევადობა: 150pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H1R7CZ01D

GRM1887U1H1R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9512

ტევადობა: 1.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი