დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 13

CPT20145A

ნაწილი საფონდო: 4462

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT40090A

ნაწილი საფონდო: 4095

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

UFT14260

ნაწილი საფონდო: 4067

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSAD36-12

ნაწილი საფონდო: 4120

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 36A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

UFT14280

ნაწილი საფონდო: 4043

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

UFT7150D

ნაწილი საფონდო: 4084

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT300100D

ნაწილი საფონდო: 4121

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST8145

ნაწილი საფონდო: 3999

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST16045D

ნაწილი საფონდო: 4084

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT300100A

ნაწილი საფონდო: 4111

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT20145

ნაწილი საფონდო: 4058

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSAD100-08

ნაწილი საფონდო: 4069

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

D16-4148E3/TU

ნაწილი საფონდო: 5535

დიოდის კონფიგურაცია: 8 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT600150

ნაწილი საფონდო: 4148

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSKD36-12

ნაწილი საფონდო: 4024

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 36A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSKD36-16

ნაწილი საფონდო: 4046

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 36A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT500100A

ნაწილი საფონდო: 4080

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

UFT7130D

ნაწილი საფონდო: 4073

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT60145D

ნაწილი საფონდო: 4056

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSAD200-18

ნაწილი საფონდო: 4413

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSAD120-08

ნაწილი საფონდო: 4103

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

UFT14020A

ნაწილი საფონდო: 4164

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

MSCD165-16

ნაწილი საფონდო: 4032

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 165A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT50235D

ნაწილი საფონდო: 4061

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT60035D

ნაწილი საფონდო: 4118

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

UFT7020

ნაწილი საფონდო: 4037

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT50060A

ნაწილი საფონდო: 4107

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT30050

ნაწილი საფონდო: 3754

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST20150E3

ნაწილი საფონდო: 3888

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

SPB10045E3

ნაწილი საფონდო: 5472

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

SPB160100E3

ნაწილი საფონდო: 3871

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST31180E3

ნაწილი საფონდო: 3804

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

CPT600100

ნაწილი საფონდო: 3739

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST50100E3

ნაწილი საფონდო: 3868

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST20150

ნაწილი საფონდო: 3744

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Microsemi Corporation

FST30100E3

ნაწილი საფონდო: 3821

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი