დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 15

SIDC07D60AF6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 504

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 22.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 22.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC42D170E6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 549

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.15V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC46D170HX1SA2

ნაწილი საფონდო: 548

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC04D60F6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 504

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 9A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC23D60E6X1SA4

ნაწილი საფონდო: 484

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC03D60C6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 552

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC53D120H6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 476

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC20D60C6

ნაწილი საფონდო: 567

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D60F6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 533

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 45A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 45A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SDT08S60

ნაწილი საფონდო: 502

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDD04S60

ნაწილი საფონდო: 556

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDB06S60

ნაწილი საფონდო: 477

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D120F6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 565

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC161D170HX1SA2

ნაწილი საფონდო: 473

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

IDH12S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 542

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D60E6YX1SA1

ნაწილი საფონდო: 550

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

MMBD914LT3HTMA1

ნაწილი საფონდო: 5105

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC02D60C6X1SA4

ნაწილი საფონდო: 474

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC01D60C6

ნაწილი საფონდო: 468

დიოდის ტიპი: Standard, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC01D120H6

ნაწილი საფონდო: 5086

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 600mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 600mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC81D120E6X1SA4

ნაწილი საფონდო: 506

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SDT05S60

ნაწილი საფონდო: 494

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC30D120F6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 491

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC08D120F6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 502

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 7A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC81D120H6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 5071

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC03D60F6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 474

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

IDH16S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 466

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 16A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D60E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 5128

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC56D120F6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 552

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC56D60E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 541

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC11D60SIC3

ნაწილი საფონდო: 494

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDT10S60

ნაწილი საფონდო: 5047

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDT10S30

ნაწილი საფონდო: 246

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDT12S60

ნაწილი საფონდო: 204

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDT04S60

ნაწილი საფონდო: 197

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SDT06S60

ნაწილი საფონდო: 227

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი