Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
IDH15S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

ნაწილი საფონდო: 889

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 15A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

ნაწილი საფონდო: 20456

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 817

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

ნაწილი საფონდო: 891

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 855

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 839

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

ნაწილი საფონდო: 831

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 816

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

ნაწილი საფონდო: 813

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

ნაწილი საფონდო: 888

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

ნაწილი საფონდო: 810

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 7.5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 900

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDB06S60C
Infineon Technologies

IDB06S60C

ნაწილი საფონდო: 5151

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

ნაწილი საფონდო: 811

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 5122

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 828

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

ნაწილი საფონდო: 812

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 9A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 9A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDB10S60C
Infineon Technologies

IDB10S60C

ნაწილი საფონდო: 875

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

ნაწილი საფონდო: 834

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 502

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
SIDC06D60C6
Infineon Technologies

SIDC06D60C6

ნაწილი საფონდო: 477

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 20A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC78D170HX1SA1
Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

ნაწილი საფონდო: 521

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
IDH04S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 556

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 552

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
SIDC30D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 571

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC73D170E6X1SA2
Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 517

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.15V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

ნაწილი საფონდო: 502

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
SIDC56D120E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 5106

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 552

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 25A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

ნაწილი საფონდო: 523

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

ნაწილი საფონდო: 497

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

ნაწილი საფონდო: 543

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 504

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC56D170E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 577

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.15V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

ნაწილი საფონდო: 518

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
SIDC02D60F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 525

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი